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一种薄膜晶体管（ＴＦＴ），包括轻掺杂漏区（ＬＤＤ）或偏移区，其中，薄膜晶体管形成为使得多晶硅衬底的主晶粒边界不位于ＬＤＤ区或偏移区。...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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