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本发明提供一种具轻掺杂汲极的半导体组件及其形成方法。本发明方法包含提供一半导体底材，是具有第一区域及第二区域。然后，依序形成闸极介电层及导体层在半导体底材上。接着，选择性地去除一部分的导体层，用以形成第一闸极在第一区域对应的闸极介电层上，并...
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