制造浅沟槽隔离结构（STI）的方法技术

本发明专利技术是关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽的底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化硅层；接着在该沟槽中顺应性的沉积部分高密度电浆氧化物层（ＨＤＰ　　ｏｘｉｄｅ）；接着，在半导体基底表面顺应性的形成一多晶硅层，再将半导体基底进行热处理以氧化该多晶硅层；接着将该半导体基底表面进行平坦化制程，以形成浅沟槽隔离结构（ＳＴＩ）。借由该高密度电浆氧化物与氧化后的多晶硅层，可以在沟槽中形成填充良好无孔洞的隔离结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于半导体组件的制造，特别有关于一种制造浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation，STI)的方法。
技术介绍
集成电路制程的快速发展，使得半导体产品日益积集化与微小化。而随着产品的积集化，半导体组件的尺寸与隔离半导体组件的隔离结构大小也随之缩减。因此，在半导体制程中，形成良好的隔离结构则更加困难。习知的一种形成隔离结构的方法乃是借由局部氧化形成场氧化层(LOCOS)，然而此种方式对于积集度高的半导体装置而言并不适合，容易产生鸟嘴侵蚀的问题(bird′s beak encroachment)。因此，目前以浅沟隔离结构(shallow trench isolation，STI)制程成为主流，特别适用于次微米以下的集成电路制程。参见图3，习知的浅沟隔离结构制程一般包含下列步骤。首先，利用选择性蚀刻在一半导体基底300上形成浅沟槽304。接着，在该半导体基底表面上沉积一隔离层，并填满该沟槽。一般而言，多半借由化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)沉积二氧化硅形成隔离层310，例如借由大气压化学气相沉积法(atmo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造浅沟槽隔离结构的方法，适用于一半导体基底上，包含下列步骤：在该半导体基底上形成一沟槽；在该沟槽底部与侧壁上形成一内衬氧化物（ｌｉｎｅｒ　ｏｘｉｄｅ）；在该内衬氧化物上形成一内衬氮化物层（ｌｉｎｅｒ　ｎｉｔｒｉ ｄｅ）；借由高密度电浆化学气相沉积法（ＨＤＰＣＶＤ）顺应性地在该沟槽中沉积一部分的一氧化物层；在该氧化物层上顺应性地沉积一硅层；将该半导体基底进行一热处理以氧化该硅层；以及将该半导体基底表面进行平坦化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造浅沟槽隔离结构的方法，适用于一半导体基底上，包含下列步骤在该半导体基底上形成一沟槽；在该沟槽底部与侧壁上形成一内衬氧化物(liner oxide)；在该内衬氧化物上形成一内衬氮化物层(liner nitride)；借由高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD)顺应性地在该沟槽中沉积一部分的一氧化物层；在该氧化物层上顺应性地沉积一硅层；将该半导体基底进行一热处理以氧化该硅层；以及将该半导体基底表面进行平坦化。2.根据权利要求1所述的制造浅沟槽隔离结构的方法，其中该硅层为多晶硅。3.根据权利要求2所述的制造浅沟槽隔离结构的方法，其中该多晶硅层是以化学气相沉积法在低温下形成的非晶形的多晶硅层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振隆，林平伟，聂俊峰，郑丰绪，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]