反射式液晶显示器及周边电路的制造方法技术

一种低温多晶硅液晶显示器，包含Ｐ型薄膜电晶体ＴＦＴ（不含浅掺杂汲极ＬＤＤ），及包含ＬＤＤ的ｎ型ＴＦＴ的驱动电路及画素ＴＦＴ与储存电容及画素电容底部电极的制造方法。制程步骤包含先定义源极／汲极，之后形成活性层及闸极氧化层并定义之，随后，在电晶体闸极金属沉积前，先形成感光树脂层，再图案化，以形成凸块雏型，经回流平滑化，再将闸极金属层与凸块上反射金属层同时进行沉积及图案化。接着，进行ＬＤＤ布植。随后以定义Ｐ型ＴＦＴ的光阻图案为罩幕，施以源／汲极离子布植，以形成Ｐ型ＴＦＴ的源极、汲极。最后，去光阻后，再形成护层及接触洞。制程中只约需用六道光罩数即可制造反射式液晶显示器ＴＦＴ及其驱动电路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是与一种液晶显示器制程技术有关，特别是有关于一种反射式低温多晶硅液晶显示器制程技术，以最精简的光罩去完成包含驱动电路和液晶显示画素制作的技术。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是一种平面的显示器，具有低耗电量特性，同时由于与同视窗尺寸的阴极射线管(CRT)相比，不论就占用空间或质量而言都要小得多，且不会有一般CRT的曲面。因此已广范应用于各式产品，包括消费性电子产品如掌上型计算机，电脑字典，手表，手机，尺寸较大的手提型电脑，通讯终端机，显示板，个人桌上型电脑，甚至高解析度电视(HDTV)等都不难看到其踪迹及其受欢迎的程度。特别是主动矩阵型薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD)，由于其可视角、对比表现都比被动矩阵型的STN-LCD要好得多，且具有更佳的反应时间。TFT型的液晶显示器，主要的构件包括萤光管、导光板、偏光板、滤光板、玻璃基板、配向膜、液晶材料、以及薄膜式电晶体等等。首先液晶显示器必须先利用背光源，也就是萤光灯管投射出光源，这些光源会先经过一个偏光板然后再经过液晶，这时液晶分子的排列方式进而改变穿透液晶的光线角度。然后这些光线接下来还必须经过前方的彩色滤光膜与另一块本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造反射式液晶显示器的方法，其特征在于至少包含以下步骤：　　　　形成一金属层于一基板之上；　　　　形成一第一导电型硅层于该金属层之上；　　　　图案化该金属层与该第一导电型硅层，以在驱动电路区内形成一第一导电型ＴＦＴ的源极／汲极预定区、一第二导电型ＴＦＴ的源极预定区以及在画素区内形成一画素ＴＦＴ的源极／汲极预定区，及储存电容预定区；　　　　形成一活性层于经图案化后的表面之上；　　　　形成一闸极氧化层于该活性层之上；　　　　图案化该闸极氧化层与该活性层，以形成一第一保留区、一第二保留区、以及一第三保留区，其中该第一保留区是位于该第一导电型ＴＦＴ的源极／汲极区之间并部分覆盖该第一导电型ＴＦＴ的源...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造反射式液晶显示器的方法，其特征在于至少包含以下步骤形成一金属层于一基板之上；形成一第一导电型硅层于该金属层之上；图案化该金属层与该第一导电型硅层，以在驱动电路区内形成一第一导电型TFT的源极/汲极预定区、一第二导电型TFT的源极预定区以及在画素区内形成一画素TFT的源极/汲极预定区，及储存电容预定区；形成一活性层于经图案化后的表面之上；形成一闸极氧化层于该活性层之上；图案化该闸极氧化层与该活性层，以形成一第一保留区、一第二保留区、以及一第三保留区，其中该第一保留区是位于该第一导电型TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该第一导电型TFT的源极/汲极区，该第二保留区是位于该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极之间并部分覆盖该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极，该第三保留区是位于该画素TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该画素TFT的源极/汲极区；形成一绝缘层于上述图案化后的表面；图案化该绝缘层，以在该画素区之上形成复数个凸块；形成一闸极金属层于上述图案化后的表面上；图案化该闸极金属层，以形成参考电位连接电极、该第一导电型TFT的闸极、该第二导电型TFT的闸极、该储存电容的顶部电极，并在该画素区的凸块上形成一反射金属层，该反射金属层并连接该画素TFT汲极及该储存电容的顶部电极；施以轻渗杂汲极(LDD)布植，植入该第一导电型杂质，以经图案化后的该闸极金属层为罩幕，用以在该第一导电型TFT的闸极两侧形成LDD区，在该画素TFT的闸极两侧也形成LDD区；形成一光阻图案层于除该第二保留区之外的所有区域之上；植入一第二导电型杂质，以该光阻图案层及该第二导电型TFT的闸极为罩幕，以形成该第二导电型TFT的源极/汲极区；移除该光阻图案层；形成一保护层于该裸露的表面上；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈信铭，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]