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本发明是关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽的底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化硅层；接着在该沟槽中顺应性的沉积部分高密度电浆氧化物层（ＨＤＰ　　ｏｘｉｄｅ）；接着...
该专利属于矽统科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽统科技股份有限公司授权不得商用。

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