【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术与一种液晶显示器制程技术有关，特别是有关于一种低温多晶硅液晶显示器制程技术，以最精简的光罩数去完成包含驱动电路和液晶显示像素制作的技术。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是一种平面的显示器，具有低耗电量特性，同时由于与同视窗尺寸的阴极射线管(CRT)相比，不论就占用空间或质量而言都要小得多，且不会有一般CRT的曲面。因此已广泛应用于各式产品，包括消费性电子产品如掌上型计算机，电脑字典，手表，手机，尺寸较大的手提型电脑，通讯终端机，显示板，个人桌上型电脑，甚至高解析度电视(HDTV)等都不难看到其踪迹及其受欢迎的程度。特别是主动矩阵型薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD)，由于其可视角、对比表现都比被动矩阵型的STN-LCD要好得多，且具有更佳的反应时间。此外就TFT-LCD而言，长期以来多以传统非晶硅做为TFT-LCD的TFT的主要材料，如今已另有一选择，即使用多晶硅取代非晶硅并且有可能成为主流。这主要着眼于不管是电子或电洞的移动速率(mobility)，多晶硅都要比非晶硅提供更佳的移动速率。除此之外，多晶硅TFT-LCD还有一个优点是形成LCD面板的驱...
【技术保护点】
一种制造液晶显示器的像素薄膜电晶体（ＴＦＴ）及于驱动电路区同时形成第一导电型ＴＦＴ及第二导电型ＴＦＴ的方法，其特征在于该方法至少包含以下步骤：由下而上依序形成一无掺杂硅层、第一导电型硅层及一金属层于一基板上；图案化该金属层及 该第一导电型硅层，用以定义该第一导电型ＴＦＴ的源极／汲极、该像素ＴＦＴ的源极／汲极及该画素储存电容底部电极；全面形成一闸极氧化层及一闸极金属层于该基板上图案后的表面上；图案化该闸极氧化层及该闸极金属层，用以在驱动电路区形成该 第一导电型ＴＦＴ的闸极、该第二导电型ＴＦＴ的闸极，及电源电极，并同时...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造液晶显示器的像素薄膜电晶体(TFT)及于驱动电路区同时形成第一导电型TFT及第二导电型TFT的方法，其特征在于该方法至少包含以下步骤由下而上依序形成一无掺杂硅层、第一导电型硅层及一金属层于一基板上；图案化该金属层及该第一导电型硅层，用以定义该第一导电型TFT的源极/汲极、该像素TFT的源极/汲极及该画素储存电容底部电极；全面形成一闸极氧化层及一闸极金属层于该基板上图案后的表面上；图案化该闸极氧化层及该闸极金属层，用以在驱动电路区形成该第一导电型TFT的闸极、该第二导电型TFT的闸极，及电源电极，并同时于该画素区形成该画素TFT的闸极，并形成该画素储存电容；形成一第一光阻图案于该基板图案后的表面，该第一光阻图案裸露该第二导电型TFT的预定区；植入第二导电型杂质，以该第一光阻图案及该第二导电型TFT的闸极为罩幕，以使得该第二导电型TFT的源极/汲极经仅含有第二导电型杂质；移除该第一光阻图案；全面形成一护层于该画素区及该驱动电路区表面；图案化该护层，用以形成接触洞，该接触洞是用以分别裸露该电源电极、该第一导电型TFT的源极/汲极、该第二导电型TFT的源极/汲极、该画素TFT的源极/汲极及该画素电容的顶部电极；形成一透明导体氧化层于所有区域，除填满所述接触洞，并形成于该护层上；图案化该护层上的透明导体氧化层，用以进行该第一导电型TFT、第二导电型TFT、该画素TFT、及该储存电容的连接。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的无掺杂硅层、一第一导电型硅层沉积法是先以不含第一导电型杂质沉积，次导入包含该第一导电型杂质的气体以沉积该第一导电型杂质掺杂硅层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的图案化该金属层及该第一导电型硅层是先以微影及蚀刻技术定义该金属层，次再以该图案化的金属层为罩幕蚀刻该第一导电型硅层。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的第一导电型TFT的闸极与其源极距离小于闸极与其汲极的距离、该画素TFT的闸极与其源极距离小于闸极与其汲极的距离，用以抑制漏电流。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包含在图案化该闸极金属层后及形成一第一光阻图案前，先形成一轻渗杂汲极(LDD)罩幕层，以定义进行LDD植入的范围，接着，施以n型杂质掺杂，再移除该LDD罩幕层。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的护层形成及图案化该护层步骤是包含先沉积一感光树脂层，再以光罩对该感光树脂照光以形成接触洞图案。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于还包含在该感光树脂层形成前先进行退火，以活化所述的第一及第二导电型杂质。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的护层形成及...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈信铭，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。