The invention provides a pixel structure and a liquid crystal display. The pixel structure includes a scan line, a data line, a common line and a pixel area, the scanning line and the data line is perpendicular to the data line and the public, and parallel lines in the same layer, the pixel area is located in the scan line and the data line formed by the area within the pixel area includes the sub area, including the first sub region thin film transistor, gate electrode of the first thin-film transistor is connected with the first scanning line, a source electrode of thin film transistor is connected with the public line. Due to the data line and the public lines in the same layer, so no longer need to go through the through hole is connected with the first source of the film transistor is connected with the public line, which can save a through hole design, so as to improve the aperture ratio of the pixel.
【技术实现步骤摘要】
像素结构及液晶显示器
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种像素结构及液晶显示器。
技术介绍
垂直取向(VerticalAlignmengt,简称VA)薄膜场效应晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,简称TFT-LCD)在大视角观察时色偏现象比较严重,在大尺寸面板上更为明显,为了解决大视角的色偏问题,大尺寸面板像素设计普遍采用低色偏(Lowcolorshift)的像素设计。请参考图1,图中标号1为扫描线,2为数据线,3为公共线。低色偏像素设计一般采用第一金属层做公共线3,因此在结构上需要三个通孔(a、b和c)。其中通孔a连通薄膜晶体管T13与主区e的像素电极,通孔b连通薄膜晶体管T12与子区d的像素电极,通孔c连通薄膜晶体管T11与公共线3,由于三个通孔占据较大的空间,特别是在高解析度的面板设计中,单个像素尺寸较小,三个通孔的设计对开口率的影响较大,不利于高开口率,高穿透率的像素设计。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构及液晶显示器,用以解决现有技术中通孔过多占据空间较大,影响开口率的技术问题。本专利技术一方面提供一种像素结构,包括:扫描线、数据线、公共线和像素区,其中,扫描线与数据线垂直设置,数据线与公共线同层设置且相互平行,像素区位于扫描线与数据线所围成的区域内,像素区包括子区,子区包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的栅极与扫描线连接,第一薄膜晶体管的源极与公共线连接。进一步的,子区还包括第二薄膜晶体管和子区像素电极,第二薄膜晶体管的栅极与扫描线连接,第二薄膜晶体管的源极与数据线连接,第二薄 ...
【技术保护点】
一种像素结构,其特征在于,包括:扫描线、数据线、公共线和像素区,其中,所述扫描线与所述数据线垂直设置,所述数据线与所述公共线同层设置且相互平行,所述像素区位于所述扫描线与所述数据线所围成的区域内,所述像素区包括子区,所述子区包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述公共线连接。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构,其特征在于,包括:扫描线、数据线、公共线和像素区,其中,所述扫描线与所述数据线垂直设置,所述数据线与所述公共线同层设置且相互平行,所述像素区位于所述扫描线与所述数据线所围成的区域内,所述像素区包括子区,所述子区包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述公共线连接。2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述子区还包括第二薄膜晶体管和子区像素电极,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述第二薄膜晶体管的漏极和所述第一薄膜晶体管的漏极均与所述子区像素电极连接。3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括第一通孔,所述第二薄膜晶体管的漏极通过所述第一通孔与所述子区像素电极连接。4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭晋波,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。