可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法技术

本发明专利技术揭露一种可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其在一半导体基底上先形成一垫氧化层与一氮化硅掩膜层，并蚀刻形成沟道；然后，在基底与浅沟道表面形成一衬氧化层，再蚀刻氮化硅掩膜层，使其后推露出角落结构，抑或是先蚀刻氮化硅掩膜层，使其后推露出角落结构后，再沉积形成一衬氧化层；最后，形成一层氧化物于基底上，使其填满该沟道，进而形成沟道式隔离组件。本发明专利技术可解决凹陷现象的问题，减少扭曲效应的产生，并藉此增进组件特性及电性品质。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术系关于一种形成浅沟道式隔离组件(shallow trench isolation，STI)的方法，特别是关于一种。
技术介绍
通常，当组件尺寸愈作愈小，积集度愈来愈高的情况下，传统使用局部硅氧化(local oxidation of silicon，LOCOS)的隔离结构易造成鸟嘴效应(bird’s beak effect)，因此现今的半导体组件的隔离结构普遍已采取浅沟道隔离结构作为组件间的隔离区。由于沟道组件在半导体组件中扮演很重要的角色，以浅沟道隔离组件为例，其角落结构的凹陷(recess)现象，会造成半导体组件品质降低，例如出现扭曲效应(kick effect)。浅沟道隔离组件的角落结构产生凹现的原因，是由于角落氧化层在制程过程中大量流失所造成的，如图1所示，在一半导体基底10中形成有一沟道12，再在沟道12表面形成一衬氧化层14及填充一氧化物16，以形成浅沟道隔离组件。在制程的进行中，习知沟道组件形成后，由于衬氧化层14与氧化物16的凹缩，常会造成其角落结构18产生凹陷的现象，进而造成组件电性品质降低，并在组件中产生扭曲效应。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其系包括下列步骤：提供一半导体结构，其上形成一氮化硅掩膜层；再在该半导体结构表面形成一图案化掩膜层，以该图案化掩膜层为掩蔽，蚀刻该氮化硅掩膜层与部分该半导体结构，以形成沟道，而后 去除该图案化掩膜层；　在该半导体结构上形成一衬氧化层，使其覆盖该沟道表面；再蚀刻该氮化硅掩膜层，使其后推而露出该沟道的角落结构；及形成一层氧化物于该半导体结构上，使其填满该沟道并覆盖该角落结构，而后去除该半导体结构表 面多余的该氧化物与该氮化硅掩膜层，以形成沟道式隔离组件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其系包括下列步骤提供一半导体结构，其上形成一氮化硅掩膜层；再在该半导体结构表面形成一图案化掩膜层，以该图案化掩膜层为掩蔽，蚀刻该氮化硅掩膜层与部分该半导体结构，以形成沟道，而后去除该图案化掩膜层；在该半导体结构上形成一衬氧化层，使其覆盖该沟道表面；再蚀刻该氮化硅掩膜层，使其后推而露出该沟道的角落结构；及形成一层氧化物于该半导体结构上，使其填满该沟道并覆盖该角落结构，而后去除该半导体结构表面多余的该氧化物与该氮化硅掩膜层，以形成沟道式隔离组件。2.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，该半导体结构是由一半导体基底及其表面的垫氧化层所组成，使该沟道形成于该半导体基底中。3.如权利要求2所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，该垫氧化层是由氧化硅所组成。4.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，该半导体结构为一绝缘层上有硅(SOI)的结构，使该沟道形成于该绝缘层上有硅(SOI)的结构中。5.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，该半导体结构是一内层介电材料(ILD)结构，使该沟道形成于该内层介电材料结构中。6.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，该掩膜层为一图案化光阻层。7.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，该衬氧化层是利用高温热氧化法而形成。8.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，形成该氧化物的方式是利用高密度电浆沉积法(HDP)形成。9.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，该氧化物亦可为一未掺杂的硅玻璃。10.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，在蚀刻该氮化硅掩膜层的步骤中，利用等向性蚀刻技术对该氮化硅掩膜层进行后推蚀刻。11.如权利要求1所述的可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其特征在于，在形成该沟道式隔离组件之后，更可在该半导体结构上继续制作后续的半导体组件。12.一种可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其系包...

【专利技术属性】
技术研发人员：金平中，方浩，蔡孟锦，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]