【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的示例实施例涉及半导体装置，更具体地讲，涉及具有凹陷栅极结构 的凹陷沟道晶体管(RCT)装置、制造RCT装置的方法以及包括RCT装置的显示设备。
技术介绍
随着半导体装置集成度的增加，半导体装置的图案间距会迅速地减小。具体地讲， 随着晶体管尺寸的减小，晶体管沟道长度会减小，且会出现短沟道效应。因此，为了在不减 小沟道长度的情况下减小晶体管尺寸，已引入了具有凹陷沟道结构的晶体管(RCT)。在RCT中，栅极绝缘层可以设置在形成栅极电极的栅极多晶硅(GPOLY)与源极/ 漏极区域之间。当高电场施加到漏极时，会产生不期望的栅极致漏极泄漏(GIDL)电流。为 了克服该问题，可以增加栅极绝缘层的厚度，和/或可以减小源极/漏极的密度。然而，在 这种情况下，RCT的制造工艺会变复杂，和/或装置的电流驱动能力会劣化。GIDL电流会在显示器驱动IC(DDI)中更频繁地产生，其中，高电压可以施加到 DDI，且DDI可包括具有相对宽的凹陷栅极的RCT。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例提供凹陷沟道晶体管(RCT)装置、制造RCT装置的方法 以及包括RCT装置的显示设备...
【技术保护点】
一种凹陷沟道晶体管装置，所述凹陷沟道晶体管装置包括：基底，包括第一沟槽；栅极绝缘层，在基底上并在第一沟槽中；第一栅极，在栅极绝缘层上，凹槽在第一栅极的表面中；源极和漏极，在基底中并与第一栅极相邻。
【技术特征摘要】
KR 2009-11-12 10-2009-01091751.一种凹陷沟道晶体管装置，所述凹陷沟道晶体管装置包括 基底，包括第一沟槽；栅极绝缘层，在基底上并在第一沟槽中；第一栅极，在栅极绝缘层上，凹槽在第一栅极的表面中；源极和漏极，在基底中并与第一栅极相邻。2.如权利要求1所述的凹陷沟道晶体管装置，所述凹陷沟道晶体管装置还包括 第二沟槽，形成在基底的表面上，第二栅极，形成在第二沟槽中， 第一栅极和第二栅极包括栅极层， 栅极层至少与第一沟槽和第二沟槽共形，凹槽在第一沟槽中并在栅极层的在第一沟槽的侧壁上的相对的表面区域之间， 栅极层的在第二沟槽的侧壁上的相对表面区域的至少一部分接触。3.如权利要求1所述的凹陷沟道晶体管装置，其中，第一栅极包括栅极层，第一沟槽的 宽度大于栅极层厚度的两倍。4.如权利要求1所述的凹陷沟道晶体管装置，其中，第一栅极不与源极和漏极中的至 少一个叠置。5.如权利要求1所述的凹陷沟道晶体管装置，其中，源极和漏极中的至少一个包括高 密度掺杂区和低密度掺杂区，第一栅极不与高密度掺杂区叠置，且与低密度掺杂区域叠置。6.如权利要求1所述的凹陷沟道晶体管装置，其中，在第一沟槽中的栅极绝缘层的厚 度均勻。7.如权利要求1所述的凹陷沟道晶体管装置，所述凹陷沟道晶体管装置还包括在第一 栅极上的层间介电层。8.—种显示设备，所述显示设备包括如权利要求1所述的凹陷沟道晶体管装置。9.如权利要求8所述的显示设备，所述显示设备还包括 液晶显示面板，包括多条栅极线和多条数据线； 栅极驱动器，构造为驱动所述多条栅极线；源极驱动器，构造为驱动所述多条数据线，源极驱动器和栅极驱动器中的至少一个包 括凹陷沟道晶体管装置； 存储器，构造为存储数据， 其中，第一栅极不与源极和漏极中至少一个叠置。10.一种制造凹陷沟道晶体管装置的方法，所述方法包括以下步骤 在基底上形成第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：金荣睦，郑用相，李泰喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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