碳化硅半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有高可靠性和更长的针对栅极氧化膜的ＴＤＤＢ的寿命的ＭＯＳ型ＳｉＣ半导体装置。该半导体装置包括ＭＯＳ（金属氧化物半导体）结构，ＭＯＳ结构具有碳化硅（ＳｉＣ）衬底、多晶硅栅电极、插入在ＳｉＣ衬底与多晶硅栅电极之间的且通过热氧化ＳｉＣ衬底的表面所形成的栅极氧化膜、以及与ＳｉＣ衬底电接触的欧姆触点。该半导体装置还包括通过氧化多晶硅栅电极的表面所形成的多晶硅热氧化膜。栅极氧化膜的厚度为２０ｎｍ或更薄，优选为１５ｎｍ或更薄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及 一 种用于制造碳化硅(S i c)半导体装 置的方法，尤其涉及一种用于制造具有MOS(Metal-Oxide-Semi conductor,金属氧化物半导体)结构的SiC半导体装置的栅极氧 化膜的方法。
技术介绍
存在能够在高压和高温下以极低损耗运行的碳化硅装置。 这是由于使用了大直径晶片(目前为直径达到4英寸的4H-SiC)， 由于MOS界面的^f氐沟道迁移率(low channel mobility),因而之前 使用大直径晶片存在问题。在SiC装置中，可以容易地驱动 SiC-MOS装置(MOSFET或IGBT),并且可以利用现有的Si-IGBT 简单代替SiC-MOS装置。因此，考虑将SiC-MOS装置作为具有 几kV或更低功率区(power region)的首选切换装置之一 。碳化硅半导体装置是能够通过热氧化生成二氧化硅的仅 有的宽间隙(gap)半导体装置，这是维护碳化硅半导体装置优势 的有力基础。
技术实现思路
根据在此实现的本专利技术的一个方面，形成一种碳化硅半导 体装置，其具有金属氧化物半导体结构，所述碳化硅半导体装置包括碳化硅衬底；多晶硅栅电极；栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅半导体装置，其具有金属氧化物半导体结构，所述碳化硅半导体装置包括：　碳化硅衬底；　多晶硅栅电极；　栅极氧化膜，其通过热氧化所述碳化硅衬底而形成，所述栅极氧化膜设置在所述碳化硅衬底与所述多晶硅栅电极之间，并且与所述 碳化硅衬底和所述多晶硅栅电极相连接，其中，所述栅极氧化膜的厚度为２０ｎｍ或更薄；　欧姆触点，其与所述碳化硅衬底电连接；以及　多晶硅热氧化膜，其通过氧化所述多晶硅栅电极的表面而形成。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-16 2007-0685721.一种碳化硅半导体装置，其具有金属氧化物半导体结构，所述碳化硅半导体装置包括碳化硅衬底；多晶硅栅电极；栅极氧化膜，其通过热氧化所述碳化硅衬底而形成，所述栅极氧化膜设置在所述碳化硅衬底与所述多晶硅栅电极之间，并且与所述碳化硅衬底和所述多晶硅栅电极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷本智，
申请(专利权)人：日产自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]