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本发明提供了凹陷沟道晶体管装置、包括其的显示设备及其制造方法，即凹陷沟道晶体管（ＲＣＴ）装置、制造该ＲＣＴ装置的方法以及包括该ＲＣＴ装置的显示设备。ＲＣＴ装置包括：基底，第一沟槽在第一基底中且具有第一宽度；第一栅极绝缘层，在第一沟槽的内壁上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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