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本发明揭露一种可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法，其在一半导体基底上先形成一垫氧化层与一氮化硅掩膜层，并蚀刻形成沟道；然后，在基底与浅沟道表面形成一衬氧化层，再蚀刻氮化硅掩膜层，使其后推露出角落结构，抑或是先蚀刻氮化硅掩膜层，使其后推...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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