存储器及其制造方法技术

用分散的多个微粒子（点）（１５ａ）构成存储区１５的同时，使微粒子（１５ａ）的面密度比在隧道绝缘膜（１４ａ）上产生的构造性的孔（针孔）的面密度大。或者使存储区中的微粒子（１５ａ）的个数为５个以上。或者用表面粗糙度大于等于０．１ｎｍ小于等于１００ｎｍ的多晶硅层（１３）形成传导区（１３ｃ）的同时，使存储区（１５）的微粒子（１５ａ）的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜（１４ａ）中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及采用把从传导区迁移过来的电荷存储在存储区内的办法保持信息的存储器及其制造方法，以及使存储器集成化后的集成电路和半导体装置的制造方法，特别是涉及存储区由多个微粒子(量子点)构成的存储器及其制造方法，以及集成电路和半导体装置的制造方法。
技术介绍
在以EEPROM(Electric Ersable-Programable Read Only Memory，电可擦除可编程只读存储器)为代表的非易失性存储器中，通过绝缘膜在单晶硅基板上形成有存储区，结果变成为通过存储以绝缘膜为隧道从传导区迁移到该存储区内的电荷来保持信息。以往，由具有二维性扩展的连续半导体膜形成该存储区。此外，在以往的非易失性存储器中，为了长时间保持在该存储区中存储的电荷，作为传导区和存储区之间的绝缘膜，使用绝缘性优良的硅的热氧化膜。该热氧化膜采用在氧气氛中使单晶硅基板的温度上升到800～1000℃的高温的办法形成。另外，硅基板在这种程度的温度下，不会变形或溶解。此外，在单晶硅基板上边形成的热氧化膜的绝缘性非常出色，所以可以保持稳定而不会从二维性的连续的存储区漏泄电荷。如上所述，在以往的存储器中，在传导区和存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，具备下述部分：由半导体构成的传导区；设置为与该传导区相邻的第１杂质区；设置为与该第１杂质区分开，且与上述传导区相邻的第２杂质区；由分散开来的多个微粒子构成，存储由上述传导区迁移来的电荷的存储区；　 　设于该存储区和上述传导区之间的电荷可以迁移的隧道绝缘膜；用来分别控制上述存储区的电荷量和上述存储器用传导区的传导率的控制用电极；设于该控制用电极和上述存储区之间的控制用绝缘膜，上述传导区由表面的粗糙度大于等于０ ．１ｎｍ小于等于１００ｎｍ的多晶硅膜形成，同时上述存储区的微...

【技术特征摘要】
JP 1998-1-26 27747/1998;JP 1998-10-28 321377/19981.一种存储器，具备下述部分由半导体构成的传导区；设置为与该传导区相邻的第1杂质区；设置为与该第1杂质区分开，且与上述传导区相邻的第2杂质区；由分散开来的多个微粒子构成，存储由上述传导区迁移来的电荷的存储区；设于该存储区和上述传导区之间的电荷可以迁移的隧道绝缘膜；用来分别控制上述存储区的电荷量和上述存储器用传导区的传导率的控制用电极；设于该控制用电极和上述存储区之间的控制用绝缘膜，上述传导区由表面的粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅膜形成，同时上述存储区的微粒子的个数比上述传导区中的晶粒个数多。2.一种存储器的制造方法，其特征是具备下述工序在由绝缘体构成的基底部分的上边形成由表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅膜构成的传导区的工序；在上述传导区的上边形成隧道绝缘膜的工序；在上述隧道绝缘膜的上边形成由比上述传导区的晶粒个数还多的分散开来的微粒子构成的存储区的工序；在上述存储区的上边形成控制用绝缘膜的工序；在上述控制用绝缘膜的上边形成控制用电极的工序；分别形成与上述传导区相邻的第1杂质区和与上述第1杂质区分开，且与上述传导区相邻的第2杂质区的工序。3.一种存储器的制造方法，具备下述工序在由绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：达拉姆派尔古赛恩，野本和正，乔纳森维斯特沃特，中越美弥子，堆井节夫，野口隆，森芳文，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]