闪存存储单元及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明专利技术采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了闪存的存储密度。在相同工艺条件下，存储密度是一般多晶硅浮栅闪存的４倍，是ＮＲＯＭ闪存的２倍。工艺简单，和传统ＣＭＯＳ工艺兼容，也没有增加光刻次数，从而降低了存储成本。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于非挥发性半导体存储器
，具体涉及一种每单元能存储多位数据的。
技术介绍
半导体存储器是半导体产业的重要组成部分，随着各种移动设备中对数据的存储要求的日益增大，对能在断电情况下仍然保存数据的非挥发性半导体存储器的需求也越来越大。闪存(Flash Memory)是发展最快的非挥发性半导体存储器。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展，它被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额。研制低功耗，低工作电压和高存储密度的闪存是闪存技术发展的重要推动力。闪存的结构单元如图一所示，它包含2层多晶硅栅，上面一层多晶硅1引出接字线，是控制栅，用来控制单元的选通以及单元的编程读出等操作，下面的多晶硅栅7不引出，完全与外界隔绝，因此叫做浮栅。闪存单元是利用浮栅上的存储电荷改变控制栅对应的阈值电压，从而决定单元的存储内容。如果浮栅上没有存储电子电荷，控制栅对应一个较低的阈值电压VT；当浮栅上存储了电子电荷QFG(QFG＜0)，则控制栅阈值电压增大了ΔVT，ΔVT＝-QFG/CFC(1)其中CFC是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存存储单元，是由多晶硅控制栅、源区、漏区和存储电荷的浮栅组成，其特征在于：浮栅是由两层氮化硅组成，上、下氮化硅层之间设有隔离氧化层，采用沟道热电子注入编程方式，将电荷分别存储在上述氮化硅层中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡一茂，单晓楠，周发龙，黄如，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]