磁存储装置制造方法及图纸

提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用磁性复制进行数据复制的磁存储装置、数据复制装置、数据复制系统、数据复制程序与数据复制方法。
技术介绍
迄今已提出过FeRAM等种种存储介质，且正在应用这类存储介质进行数据传送。图44示明当前所考虑的介质在下载中需用时间的比较表。如图44所示，考虑消费者从内容营业者下载数据的情形，下载1千兆数据而写入到存储介质中的时间，即便是对于最快的FeRAM或MRAM(磁随机存取存储器)，一般的写入动作，已知也需用400秒的大量时间。因此，当考虑例如在车站的公用电话亭等处，利用等待电车时间将大容量图像数据下载到移动式存储器中时，若将下载的等待设间设定为约30秒，就不能应用现在的存储介质。如上所述，已有的存储介质，特别是对于图像等大容量数据的情形，为进行下载写入是非常耗用时间的。因此，要想实现简便地分配数据，看来是很困难的。
技术实现思路
本专利技术正是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供能缩短数据传输时间的磁存储装置、数据复制装置、数据复制系统、数据复制程序以及数据复制方法。为了实现上述目的，本专利技术采用了以下所示的装置。本专利技术第一方面的磁存储装置具有沿第一方向延伸的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁存储装置，其特征在于，它具有：沿第一方向延伸的第一写入配线；配置于上述第一写入配线上方的第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上且厚度较上述第一写入配线薄的钝化膜。

【技术特征摘要】
JP 2003-4-11 107994/2003;JP 2003-6-16 171217/20031.磁存储装置，其特征在于，它具有沿第一方向延伸的第一写入配线；配置于上述第一写入配线上方的第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上且厚度较上述第一写入配线薄的钝化膜。2.权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，上述钝化膜是DLC膜。3.权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜的合计膜厚小于等于50nm。4.权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件是至少由第一固定层、第一自由层以及夹持于此第一固定层与第一自由层之间的第一隧道绝缘膜形成的MTJ元件。5.权利要求4所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一自由层与上述钝化膜相接。6.权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，它还具备有形成在上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜之间且沿异于上述第一方向的第二方向延伸的第二写入配线。7.权利要求6所述的磁存储装置，其特征在于，上述钝化膜是DLC膜。8.权利要求6所述的磁存储装置，其特征在于，上述第二写入配线比上述第一写入配线薄。9.权利要求6所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件、上述第二写入配线与上述钝化膜的合计膜厚小于等于50nm。10.权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，它还具备有设有位于上述第一磁阻效应元件上方的第一开口部的第一封装；用于开闭上述第一开口部的第一盖部；设于上述第一盖部内且在关闭上述第一盖部的状态下配置于上述第一磁阻效应元件上方的第二写入配线。11.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，上述钝化膜是DLC膜。12.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜的合计膜厚小于等于50nm。13.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一盖部滑动式地开闭。14.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一盖部门式地开闭。15.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一封装由磁屏蔽材料形成。16.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一盖部由磁屏蔽材料形成。17.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，它还具有设于上述第一封装上的对位用的第一标记部。18.权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于，在进行磁性复制时打开上述第一盖部。19.磁存储装置，其特征在于，它具备沿第一方向延伸的第一写入配线；配置于上述第一写入配线上方的第一磁阻效应元件；在上述第一磁阻效应元件上由DLC膜形成的钝化膜。20.权利要求19所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜的合计膜厚小于等于50nm。21.权利要求19所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件是至少由第一固定层、第一自由层以及夹持于此第一固定层与第一自由层之间的第一隧道绝缘膜形成的MTJ元件。22.权利要求21所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一自由层与上述钝化膜相接。23.权利要求19所述的磁存储装置，其特征在于，它还具备有形成在上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜之间且沿异于上述第一方向的第二方向延伸的第二写入配线。24.权利要求23所述的磁存储装置，其特征在于，上述第二写入配线比上述第一写入配线薄。25.权利要求23所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件、上述第二写入配线与上述钝化膜的合计膜厚小于等于50nm。26.权利要求19所述的磁存储装置，其特征在于，它还具备有设有位于上述第一磁阻效应元件上方的第一开口部的第一封装；用于开闭上述第一开口部的第一盖部；设于上述第一盖部内且在关闭上述第一盖部的状态下配置于上述第一磁阻效应元件上方的第二写入配线。27.权利要求26所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜的合计膜厚小于等于50nm。28.权利要求26所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一盖部滑动式地开闭。29.权利要求26所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一盖部门式地开闭。30.权利要求26所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一封装由磁屏蔽材料形成。31.权利要求26所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一盖部由磁屏蔽材料形成。32.权利要求26所述的磁存储装置，其特征在于，它还具有设于上述第一封装上的对位用的第一标记部。33.权利要求26所述的磁存储装置，其特征在于，在进行磁性复制时打开上述第一盖部。34.磁存储装置，其特征在于，它具有第一磁阻效应元件；在上述第一磁阻效应元件上形成的第一读出配线；形成于上述第一读出配线上的钝化膜；与上述第一读出配线连接、位于上述第一读出配线下方且比上述第一读出配线厚的第二读出配线。35.权利要求34所述的磁存储装置，其特征在于，上述第一磁阻效应元件、上述第一读出配线与上述钝化膜的合计膜厚小于等于50nm。36.权利要求34所述的磁存储装置，其特征在于，上述钝化膜是DLC膜。37.磁存储装置，其特征在于，它具有沿第一方向延伸的第一写入配线；配置于上述第一写入配线上方的第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上且比上述第一写入配线薄的钝化膜；密封包含上述第一写入配线、上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜的芯片且设有露出此芯片的第一开口部的第一封装；开闭上述第一开口部的第一盖部。38.磁存储装置，其特征在于，它具有第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上的第一读出配线；形成于上述第一读出配线上的钝化膜；与上述第一读出配线连接、位于上述第一读出配线下方且比上述第一读出配线厚的第二读出配线；密封包含上述第一磁阻效应元件、上述第一与第二读出配线以及上述钝化膜的芯片且设有露出此芯片的第一开口部的第一封装；用于开闭上述第一开口部的第一盖部。39.磁存储装置，其特征在于，它具有沿第一方向延伸的第一写入配线；配置于上述第一写入配线上方的第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上且厚度比上述第一写入配线薄的钝化膜；配置有包含上述第一写入配线、上述第一磁阻效应元件与上述钝化膜的芯片且呈平坦形状的第一碟部；覆盖上述芯片的凸形的第一盖部。40.磁存储装置，其特征在于，它具有第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上的第一读出配线；形成于上述第一读出配线上的钝化膜；与上述第一读出配线连接、位于上述第一读出配线下方且比上述第一读出配线厚的第二读出配线；配置有包含上述第一磁阻效应元件、上述第一与第二读出配线以及上述钝化膜的芯片且呈平坦形状的第一碟部；覆盖上述芯片的凸形的第一盖部。41.磁存储装置，其特征在于，它具有沿第一方向延伸的第一写入配线；位于上述第一写入配线上方的第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上且厚度小于上述第一写入配线的钝化膜；配置有包含上述第一写入配线、上述第一磁阻效应元件以及上述钝化膜的芯片且呈凹形的第一碟部；覆盖上述芯片的平面形的第一盖部。42.磁存储装置，其特征在于，它具有第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上的第一读出配线；形成于上述第一读出配线上的钝化膜；与上述第一读出配线连接、位于上述第一读出配线下方且比上述第一读出配线厚的第二读出配线；配置有包含上述第一磁阻效应元件、上述第一与第二读出配线以及上述钝化膜的芯片且呈凹形的第一碟部；覆盖上述芯片的平面形的第一盖部。43.磁存储装置，其特征在于，它具有沿第一方向延伸的第一写入配线；配置于上述第一写入配线上方的第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上且厚度比上述第一写入配线薄的钝化膜；配置有包含上述第一写入配线、上述第一磁阻效应元件以及上述钝化膜的芯片且可提升上述芯片的可动式第一碟部；覆盖上述芯片且呈平面形的第一盖部。44.磁存储装置，其特征在于，它具有第一磁阻效应元件；形成于上述第一磁阻效应元件上的第一读出配线；形成于上述第一读出配线上的钝化膜；与上述第一读出配线连接、位于上述第一读出配线下方且比上述第一读出配线厚的第二读出配线；配置有包含上述第一磁阻效应元件、上述第一与第二读出配线以及上述钝化膜的芯片且可提升此芯片的可动式第一碟部；覆盖上述芯片的平面形的第一盖部。45.数据复制装置，其特征在于，它具有将第一磁存储器的第一数据磁性复制到第二磁存储器中，并将第二数据写入上述第二磁存储器中的磁性复制处理部；输入/输出上述磁性复制处理部的指令的输入/输出部。46.权利要求45所述的数据复制装置，其特征在于，它还具有根...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶山健，福住嘉晃，与田博明，宫本顺一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]