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存储器及其制造方法技术
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文档序号:3206746
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用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时,使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于10...
该专利属于索尼株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过索尼株式会社授权不得商用。
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