晶片加工方法技术

一种晶片加工方法，用于沿着分割线分割该晶片，该晶片具有形成在由分割线截取的多个区域中的光学器件，分割线在前表面上以晶格图案形成，该方法包括：激光光束施加步骤，将激光光束沿着分割线从晶片的后表面的一侧施加到晶片上，从而在后表面上形成具有预定深度的槽；防护板粘贴步骤，将防护板粘贴到在后表面中具有槽的晶片的前表面上；分割步骤，对具有粘贴到前表面的防护板的晶片沿着槽进行分割；以及研磨步骤，在防护板粘贴到晶片上的状态下对沿着槽被分割的晶片的后表面进行研磨，从而去掉槽。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，用于将具有光学器件的晶片沿着分割线进行分割，这些光学器件在由分割线截取的多个区域中形成，分割线以晶格图案形成在前表面上。
技术介绍
具有光学器件的晶片沿着分割线被分割成广泛使用在电子设备中的如发光二极管或激光二极管等单个的光学器件，该光学器件包括氮化镓基化合物半导体，形成在由分割线截取的多个区域中，分割线在蓝宝石衬底等的前表面上以晶格图案形成。晶片通常由称作“切块机(dicer)”的切割机进行分割。该切割机包括夹盘台，切割装置，以及移动装置，夹盘台用于保持诸如半导体晶片或光学器件晶片等工件，切割装置用于切割在夹盘台上的工件，移动装置用于使夹盘台和切割装置互相相对移动。该切割装置包括高速旋转的旋转轴以及安装在该轴上的刀片。该刀片包括盘状基底以及环形切割边，该环形切割边安装在基底的侧壁外围部，并且例如，通过电铸将具有约3μm直径的金刚石研磨颗粒固定到基底上而使切割边形成的厚度约为20μm。由于蓝宝石衬底，碳化硅衬底等具有高的Mohs硬度，因此使用上述刀片的切割通常不容易进行。由于刀片的厚度约为20μm，因此用于截取光学器件的分割线需要具有约50μm的宽度。因此，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片加工方法，用于沿着分割线分割该晶片，该晶片具有形成在由分割线截取的多个区域中的光学器件，分割线在前表面上以晶格图案形成，该方法包括：激光光束施加步骤，将激光光束沿着分割线从晶片的后表面的一侧施加到晶片上，从而在后表面上形成具 有预定深度的槽；　防护板粘贴步骤，将防护板粘贴到在后表面中具有槽的晶片的前表面上；分割步骤，对具有粘贴到前表面的防护板的晶片沿着槽进行分割；以及研磨步骤，在防护板粘贴到晶片上的状态下对沿着槽被分割的晶片的后表面进行研 磨，从而去掉槽。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-11 319824/031.一种晶片加工方法，用于沿着分割线分割该晶片，该晶片具有形成在由分割线截取的多个区域中的光学器件，分割线在前表面上以晶格图案形成，该方法包括激光光束施加步骤，将激光光束沿着分割线从晶片的后表面的一侧施加到晶片上，从而在后表面上形成具有预定深度的槽；防护板粘贴步骤，将防护板粘贴到在后表面中具有槽的晶片的前表面上；分割步骤，对具有粘贴到前表面的防护板的晶片沿着槽进行分割；以及研磨步骤，在防护板粘贴到晶片上的状态下对沿着槽被分...

【专利技术属性】
技术研发人员：永井祐介，青木昌史，星野仁志，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]