倒装芯片发光二极管及其制造方法技术

提供了一种倒装芯片型发光器件及其制造方法。所述倒装芯片型发光器件包括衬底、ｎ型覆层、有源层、ｐ型覆层、由掺杂了锑、氟、磷、砷中至少一种的氧化锡形成的欧姆接触层、以及由反射材料形成的反射层。根据所述倒装芯片型发光器件及其制造方法，通过应用具有低表面电阻率和高载流子浓度的导电氧化物电极结构，提高了电流－电压特性和耐久性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种倒装芯片型发光器件及其制造方法，更确切地，涉及一种提高发光效率的倒装芯片型发光器件及其制造方法。
技术介绍
传统的氮化镓基发光器件分为顶部发射型发光器件和倒装芯片型发光器件。顶部发射型发光器件通过与p型覆层(cladding layer)接触的欧姆接触层发光。在这样的顶部发射型发光器件中，通过在p型覆层上依次淀积镍和金来形成电极结构。然而，在镍/金的电极结构中，由于薄层不透明，电极结构中产生的光被电极结构吸收，发光器件的发光效率降低。换句话说，顶部发射型发光器件不能用作具有大容量和高亮度的发光器件。因此，为了实现具有大容量和高亮度的发光器件，需要发展其中使用被关注为高反射材料的银(Ag)和铝(Al)的倒装芯片型发光器件。美国专利No.6194743公开了一种通过在p型覆层上淀积具有高反射率的厚银层而具有高效率的倒装芯片型发光器件。然而，在这样的倒装芯片型发光器件中，p型覆层与银层之间的附着性较弱，因而在退火之后，一大部分银层被氧化或者在银层中形成大量空洞(void)，导致接触电阻率增加及反射率下降。另一方面，提供其中作为导电氧化物的氧化铟锡(ITO)用作中间层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装芯片型发光器件，其具有插入在一ｎ型覆层和一ｐ型覆层之间的一有源层，所述倒装芯片型发光器件包括：一在所述ｐ型覆层上由掺杂了附加元素的氧化锡形成的欧姆接触层；以及一在所述欧姆接触层上由反射材料形成的反射层。

【技术特征摘要】
KR 2003-11-28 85600/031.一种倒装芯片型发光器件，其具有插入在一n型覆层和一p型覆层之间的一有源层，所述倒装芯片型发光器件包括一在所述p型覆层上由掺杂了附加元素的氧化锡形成的欧姆接触层；以及一在所述欧姆接触层上由反射材料形成的反射层。2.权利要求1的倒装芯片型发光器件，其中所述附加元素是从锑、氟、磷和砷构成的组中选取的至少一种。3.权利要求2的倒装芯片型发光器件，其中所述附加元素的添加比例为0.1至40原子百分数。4.权利要求1的倒装芯片型发光器件，其中所述反射材料是选自银和铑中的至少一种。5.权利要求1的倒装芯片型发光器件，还包括在一所述反射层上的扩散势垒层，其由从镍、金、锌、铜、锌-镍合金、铜-镍合金、镍-镁合金以及掺杂了附加元素的氧化锡构成的组中选取的任何一种形成。6.权利要求5的倒装芯片型发光器件，其中所述附加元素是从锑、氟、磷和砷构成的组中选取的至少一种。7.一种具有插...

【专利技术属性】
技术研发人员：成泰连，宋俊午，林东皙，洪贤其，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，光州科学技术院，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]