【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是一种具有高制程良率及较大发光面积的。
技术介绍
近年来发光二极管产业的发展朝向氮化镓(Gallium Nitride)基半导体，例如氮化镓化合物半导体，作为用以发出光波长范围介于绿光、蓝光与紫外光之间的短波长发光二极管。短波长发光二极管由于具有高频率或短波长可用作为绿光及蓝光于全彩的应用，蓝光与紫光发光二极管更可通过能量转换做成白光光源。传统上，为了增加氮化镓/蓝宝石发光二极管的发光面积，而将电极接点置于对角线两端以增加发光面积。但是为了将电极接点与外界连接以驱动发光二极管，必须将电极接点以导线穿过一形成于发光二极管顶端的金属垫(Pad)或电极接垫(Contact Pads)。这样的设计会造成发光二极管的发光面积遭到遮蔽，特别是俯视发光二极管时，亦即发光二极管的发光面积实质上变小。此外，此传统结构易造成电流过度集中于两个金属垫之间，亦即造成电流堵塞而影响元件寿命。如上所述，此化合物半导体发光二极管必须以电极接点置于发光面对角线两端。由于为了将电极接点与外界连接以驱动发光二极管，必须将电极接点以导线与外界连接以驱动发光二极管，而电极接点...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管元件，该发光二极管元件包含一底材；一具有菱形轮廓的多层化合物半导体结构，该多层化合物半导体结构位于该底材上，其中该菱形轮廓的一对平行边与该底材的易劈裂方向平行；及分别位于该菱形轮廓较长的对角线二端的一第一电极与一第二电极，使电流分布均匀。2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中上述的该底材包含一蓝宝石底材。3.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中上述的该多层化合物半导体结构包含一第一导电型的第一掺杂半导体层于该底材上；一发光主动层于该第一掺杂半导体层上；一具有一第二导电型的第二掺杂半导体层于该发光主动层上；一透光导体层于该第二掺杂半导体层上；一位于该菱形轮廓较长的对角线一端的凹槽，该凹槽深度及该第一掺杂半导体层以容纳该第二电极并连接该第一掺杂半导体层并曝露部份的该第二掺杂半导体层、部份的该发光主动层与部份的该第一掺杂半导体层；及一介电层覆盖该透光导体层、曝露的该第二掺杂半导体层、曝露的该发光主动层与曝露的该第一掺杂半导体层，以隔离该第一电极与该第二电极。4.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中更包含二端分别形成于该第一电极与该第二电极上的凸块以进行覆晶封装。5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中更包含二端分别形成于该第一电极与该第二电极上的凸块以进行表面黏着接合。6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中更包含二端分别形成于该第一电极与该...
【专利技术属性】
技术研发人员：林照晃，吴伯仁，
申请(专利权)人：洲磊科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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