氮化物半导体发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种具有发光结构的氮化物半导体ＬＥＤ。在该发光结构中，ｎ掺杂半导体层之上具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域，在ｎ掺杂半导体层的第二区域上形成有源层，以及在有源层上形成ｐ掺杂氮化物半导体层。在ｐ掺杂半导体层上形成ｐ电极。在ｎ掺杂氮化物半导体层的第一区域上形成ｎ电极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化物半导体发光器件，更具体地说，本专利技术涉及一种适合用于大功率照明系统的大尺寸高效氮化物半导体发光二极管。
技术介绍
在本
内众所周知，诸如GaZ、InN和AlN的III-V组半导体晶体形式的氮化物半导体广泛用于发光二极管(LED)，该发光二极管发出一种波长的光(例如，紫外线和绿光)，特别是蓝光。由于在满足晶体生长晶格匹配条件的诸如蓝宝石衬底和SiC衬底的绝缘衬底上，制造氮化物半导体，所以需要在发光结构的上表面上大致水平设置p掺杂和n掺杂的氮化物半导体层。平面LED的缺点是，有效发光面积不够，而且每个发光面积的发光效率低，因为与其中两个电极均排列在其发光结构的顶部和底部的垂直LED不同，发光区上的电流流动分布不均匀。将参考图1a和1b说明平面LED的例子和受限发光效率。图1a和1b示出传统氮化物半导体LED 10的例子。图1a所示的氮化物半导体LED 10具有p电极19和n电极18，p电极19和n电极18排列在大致为矩形的LED体之上的对角上。因此，传统氮化物半导体LED 10具有并排水平排列其p电极19和n电极18的平面结构。将参考图1b对其做更详细本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体ＬＥＤ，该氮化物半导体ＬＥＤ包括：发光结构，包括：ｎ掺杂半导体层，其上具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域；有源层，形成在ｎ掺杂半导体层的第二区域上；以及ｐ掺杂氮化物半导体层，形成在有源层上；ｐ电极，形成在 ｐ掺杂半导体层上；以及ｎ电极，形成在ｎ掺杂氮化物半导体层的第一区域上。

【技术特征摘要】
KR 2003-12-18 93091/20031.一种氮化物半导体LED，该氮化物半导体LED包括发光结构，包括n掺杂半导体层，其上具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域；有源层，形成在n掺杂半导体层的第二区域上；以及p掺杂氮化物半导体层，形成在有源层上；p电极，形成在p掺杂半导体层上；以及n电极，形成在n掺杂氮化物半导体层的第一区域上。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体LED，其中n掺杂氮化物半导体层之上的第一区域对应于n掺杂氮化物半导体层的大致中心区域。3.根据权利要求1所述的氮化物半导体LED，该氮化物半导体LED进一步包括用于降低p掺杂氮化物半导体层与p电极之间的接触电阻的透明电极层。4.根据权利要求1所述的氮化物半导体LED，其中p电极具有至少一个接触焊盘；以及至少一个延伸部分，沿p掺杂氮化物半导体层的外围从该接触焊盘延伸。5.根据权利要求4所述的氮化物半导体LED，其中形成p电极以包围该n电极。6.根据权利要求5所述的氮化物半导体LED，其中发光结构具有4个角部和其每个分别将其上的相邻角部连接在一起的4个边，以及其中p电极具有至少一个接触焊盘，设置在4个角部至少之一的附近；以及延伸部分，沿4个边从接触焊盘延伸。7.根据权利要求6所述的氮化物半导体LED，其中p电极进一步具有至少一个p电极指，从接触焊盘和/或延伸部分向着该n电极伸出。8.根据权利要求7所述的氮化物半导体LED，其中该至少一个p电极指包括4个分别从4边的中心区域伸出的p电极指。9.根据权利要求7所述的氮化物半导体LED，其中p电极指包括4个分别从4个角部伸出的p电极指。10.根据权利要求7所述的氮化物半导体LED，其中p电极进一步具有在横向从至少一个p电极指的端部伸出预定长度的电极条。11.根据权利要求1所述的氮化物半导体LED，其中n电极包括接触焊盘，形成在n掺杂氮化物半导体层的大致中心区域上；以及至少一个n电极指，在n掺杂氮化物半导体层上，从接触焊盘伸出。12.根据权利要求11所述的氮化物半导体LED，其中p电极包括至少一个接触焊盘；以及至少一个延伸部分，沿p掺杂氮化物半导体层的外围从接触焊盘延伸。13.根据权利要求12所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴英豪，曹孝京，柳承珍，高建维，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]