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本发明公开了一种具有发光结构的氮化物半导体ＬＥＤ。在该发光结构中，ｎ掺杂半导体层之上具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域，在ｎ掺杂半导体层的第二区域上形成有源层，以及在有源层上形成ｐ掺杂氮化物半导体层。在ｐ掺杂半导体层上形成ｐ电极。在ｎ掺...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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