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基板和基板的制造方法技术

技术编号:41418683 阅读:10 留言:0更新日期:2024-05-21 20:52
本公开提供一种基板和基板的制造方法。所述基板包括:绝缘层;导电层,设置在所述绝缘层上;以及通孔,被构造为包括下孔和上孔,所述下孔设置在所述绝缘层的第一部分中,所述上孔设置在所述绝缘层的第二部分和所述导电层中并且连接到所述下孔,其中,所述上孔的宽度大于所述下孔的宽度,所述上孔的位于所述绝缘层中的部分的宽度等于所述上孔的位于所述导电层中的部分的宽度,并且第一方向与所述下孔的侧壁之间的第一角度和所述第一方向与所述上孔的侧壁之间的第二角度彼此不同,所述第一方向平行于所述绝缘层的下表面。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种基板和基板的制造方法


技术介绍

1、孔形成在基板中以用于基板的层之间的电连接。已经提出了许多使用激光在基板中形成孔的方法。

2、当使用激光在基板中形成孔时,由于基板的绝缘层与金属层之间的热传导和激光吸收的差异,导致孔可能具有向上变窄或者上金属层可能比下绝缘层突出得更多的结构,因此,用于连接的金属层可能无法完全填充在孔中,或者由于出现空隙导致良率可能降低。

3、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解,因此,其可能包含不属于现有技术的信息。


技术实现思路

1、实施例致力于提供一种具有孔的基板和基板的制造方法,所述基板能够通过以下方式防止在填充在通孔中的金属层中出现缺陷:防止通孔的宽度向上变窄或者防止在通孔内上金属层比下绝缘层突出得多。

2、然而,实施例要解决的问题不限于上述问题,并且可在实施例中包括的技术精神的范围内进行各种扩展。

3、实施例提供一种基板,所述基板包括:绝缘层;导电层,设置在所述绝缘层上;以及通孔,被构造为包括下孔和上孔,所述下孔设置在所述绝缘层的第一部分中,所述上孔设置在所述绝缘层的第二部分和所述导电层中并且连接到所述下孔,所述绝缘层的所述第二部分设置在所述绝缘层的所述第一部分上方,其中,所述上孔的宽度大于所述下孔的宽度,所述上孔的位于所述第二部分中的部分的第一宽度基本等于所述上孔的位于所述导电层中的部分的第二宽度,并且第一方向与所述下孔的侧壁之间的第一角度和所述第一方向与所述上孔的侧壁之间的第二角度彼此不同,所述第一方向平行于所述绝缘层的下表面。

4、所述通孔还可包括设置在所述下孔和所述上孔之间的中间孔,所述第一方向与所述中间孔的侧壁之间的第三角度可与所述第一角度和所述第二角度不同。

5、所述第一角度可小于所述第二角度,并且所述第一角度大于所述第三角度。

6、所述中间孔的所述侧壁的截面可具有弯曲形状。

7、所述基板还可包括:下导电图案,设置在所述绝缘层的所述第一部分下方或下部中;以及上导电图案,设置在所述导电层上,其中,所述下孔在靠近所述下导电图案的部分处可具有第三宽度,所述下孔在靠近所述上导电图案的部分处具有第四宽度,所述第四宽度大于所述第三宽度,并且所述上孔的宽度大于所述下孔的最大宽度。

8、所述下孔的与所述下导电图案接触的部分可具有下宽度,并且所述上孔的与所述上导电图案接触的部分可具有上宽度,并且所述上宽度与所述下宽度的比值可大于1且小于等于3。

9、所述基板可包括:连接导电图案,设置在所述通孔内并且连接到所述下导电图案和所述上导电图案。

10、所述绝缘层还包括设置在所述第二部分中的第一绝缘层,所述上孔可设置在所述第一绝缘层和所述导电层中。

11、所述基板可包括第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述绝缘层与所述导电层之间,所述上孔还可包括位于所述第一绝缘层中的部分,并且所述上孔的位于所述第一绝缘层中的所述部分宽度可近似等于所述上孔的位于所述导电层中的部分的所述第二宽度。

12、实施例提供一种基板,所述基板包括:绝缘层;导电层,设置在所述绝缘层上;以及通孔,被构造为包括下孔、上孔和中间孔,所述下孔设置在所述绝缘层的第一部分中,所述上孔设置在所述绝缘层的第二部分和所述导电层中,所述绝缘层的所述第二部分设置在所述绝缘层的所述第一部分上方,所述中间孔设置在所述下孔与所述上孔之间,其中,所述上孔的宽度大于所述下孔的宽度,所述上孔的位于所述第二部分中的部分的第一宽度和所述上孔的位于所述导电层中的部分的第二宽度基本彼此相等,并且所述中间孔的侧壁的截面具有弯曲形状。

13、所述下孔的中心和所述上孔的中心在厚度方向上可不对准。

14、实施例提供一种基板的制造方法,所述制造方法包括:形成绝缘层;在所述绝缘层上形成导电层;通过照射第一激光来第一次去除所述导电层和所述绝缘层以形成第一孔;通过在所述第一孔上照射第二激光来第二次去除所述绝缘层以形成第二孔;以及通过在所述第二孔上照射第三激光来第三次去除所述导电层和所述绝缘层以形成第三孔。

15、所述第一激光和所述第三激光可以是yag激光,并且所述第二激光可以是二氧化碳气体激光。

16、在照射所述第二激光时,所述导电层可几乎不被去除或者比所述绝缘层去除得少。

17、所述绝缘层可包括玻璃纤维,并且在照射所述第二激光时,可处理所述绝缘层的玻璃纤维。

18、在照射所述第三激光之前,所述第一孔的位于所述导电层中的部分的宽度可形成为比所述第二孔的位于所述绝缘层中的部分的宽度窄。

19、在照射所述第三激光之后,所述第三孔的位于所述导电层中的部分的宽度和所述第三孔的位于所述绝缘层中的部分的宽度可形成为基本相同。

20、实施例提供一种基板,所述基板包括:绝缘层;导电层,设置在所述绝缘层上;以及通孔,被构造为包括下孔和上孔,所述下孔设置在所述绝缘层的第一部分中,所述上孔设置在所述绝缘层的第二部分和所述导电层中并且连接到所述下孔,所述绝缘层的所述第二部分设置在所述绝缘层的所述第一部分上方,其中,所述上孔的宽度大于所述下孔的宽度,并且位于所述第二部分和所述导电层中的所述上孔的侧壁沿着所述基板的厚度方向延伸。

21、所述下孔的侧壁可相对于所述厚度方向以一定角度延伸。

22、所述导电层可不朝向所述通孔的内部突出。

23、根据实施例,可提供一种具有孔的基板和基板的制造方法,所述基板能够通过以下方法防止在填充在通孔中的金属层中出现缺陷:防止通孔的宽度向上变窄或防止在通孔内上金属层比下绝缘层突出得更多。

24、然而,易于理解的是,实施例的效果不限于上述效果,并且可在不脱离实施例的精神和范围的情况下进行各种扩展。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板,包括:

2.根据权利要求1所述的基板,其中,

3.根据权利要求2所述的基板,其中,

4.根据权利要求2所述的基板,其中,

5.根据权利要求1所述的基板,所述基板还包括:

6.根据权利要求5所述的基板,其中,

7.根据权利要求5所述的基板,所述基板还包括:

8.根据权利要求1所述的基板,其中,

9.根据权利要求1所述的基板,所述基板还包括:

10.一种基板,包括:

11.根据权利要求10所述的基板,所述基板还包括:

12.根据权利要求11所述的基板,其中,

13.根据权利要求10所述的基板,其中,

14.根据权利要求10所述的基板,所述基板还包括:

15.根据权利要求14所述的基板,其中,

16.一种基板的制造方法,包括:

17.根据权利要求16所述的制造方法,其中,

18.根据权利要求17所述的制造方法,其中,

19.根据权利要求18所述的制造方法,其中

20.根据权利要求18所述的制造方法,其中,

21.一种基板,包括:

22.根据权利要求21所述的基板,其中,所述下孔的侧壁相对于所述厚度方向以一定角度延伸。

23.根据权利要求21所述的基板,其中,所述导电层不朝向所述通孔的内部突出。

24.根据权利要求21所述的基板,其中,

25.根据权利要求21所述的基板,其中,

...

【技术特征摘要】

1.一种基板,包括:

2.根据权利要求1所述的基板,其中,

3.根据权利要求2所述的基板,其中,

4.根据权利要求2所述的基板,其中,

5.根据权利要求1所述的基板,所述基板还包括:

6.根据权利要求5所述的基板,其中,

7.根据权利要求5所述的基板,所述基板还包括:

8.根据权利要求1所述的基板,其中,

9.根据权利要求1所述的基板,所述基板还包括:

10.一种基板,包括:

11.根据权利要求10所述的基板,所述基板还包括:

12.根据权利要求11所述的基板,其中,

13.根据权利要求10所述的基板,其中,

14.根据权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员:高灿训金相勳高永国李哲敏吴仁焕林京姬裴素贤
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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