形成发光二极管的方法技术

一种形成发光二极管的方法，其特征在于，包含以下的步骤：　　　　形成一发光二极管磊晶层于一暂时性基板之上；　　　　以微影蚀刻将该发光二极管磊晶层蚀刻成发光二极管晶粒；　　　　形成一反射层于该发光二极管晶粒之上；　　　　以化学或物理方法形成一金属层于该反射层之上，作为永久金属基板；　　　　移除该暂时性基板；　　　　形成电极于该发光二极管晶粒移除该基板后裸露的表面上；以及　　　　将金属基板以机械应力分开，以形成独立的发光二极管晶粒。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种以化学或物理方法来形成发光二极管的金属基板的方法。
技术介绍
一般的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发光原理是利用半导体固有特性，它不同于以往的白炙灯管的放电、发热发光原理，所以发光二极管被称为冷光源(cold light)。相较于传统的白炽灯或水银灯管，发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低且不含水银等有害物质等优点。发光元件的基本元件结构就是PN二极管结构，其中包含P-磊晶层及N-磊晶层，中间夹以主动发光层。一般而言，发光二极管的电流输入是通过磊晶上的两个电极。由于磊晶层和长晶基板的材料选择，发光二极管磊晶上的电极可以位于磊晶层的相反方向或同一方向，如图1(A)及图1(B)所示。以氮化镓(GaN)系的发光二极管为例，普遍被使用的长晶基板有不导电蓝宝石基板(Sapphire，Al2O3)和导电碳化硅(SiC)。完成磊晶结构后，以Sapphire作长晶基板40的氮化镓发光二极管的形状如图1(A)所示，其中基板40之上依序有N型磊晶层30、主动发光层20及P型磊晶层10，而N型磊晶层30的部分裸露区域上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成发光二极管的方法，其特征在于，包含以下的步骤形成一发光二极管磊晶层于一暂时性基板之上；以微影蚀刻将该发光二极管磊晶层蚀刻成发光二极管晶粒；形成一反射层于该发光二极管晶粒之上；以化学或物理方法形成一金属层于该反射层之上，作为永久金属基板；移除该暂时性基板；形成电极于该发光二极管晶粒移除该基板后裸露的表面上；以及将金属基板以机械应力分开，以形成独立的发光二极管晶粒。2.一种形成发光二极管的方法，其特征在于，包含以下的步骤形成一发光二极管磊晶层于一暂时性基板之上；形成一反射层于该发光二极管磊晶层之上；以化学或物理方法形成一金属层于该反射层之上，作为永久基板；以微影蚀刻该发光二极管磊晶层、该反射层及该金属层，使该发光二极管磊晶层蚀刻成发光二极管晶粒；移除该暂时性基板；以及形成电极于该发光二极管晶粒移除该基板后裸露的表面上。3.如权利要求1或2的形成发光二极管的方法，其特征在于，其中该反射层的材质...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭政达，蔡文忠，陈聪育，黄少华，
申请(专利权)人：连威磊晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：