一种利用远距等离子体将具有高阻值Ｐ型薄膜活化成低阻值Ｐ型薄膜的方法；上述高阻值Ｐ型薄膜为Ｐ型掺杂的三族金属氮化物薄膜或Ｐ型掺杂的二－六族化合物薄膜。本发明利用活性气体易与氢原子结合的特性，使用射频生成器或电子束使上述气体成为等离子体，在...

一种将高阻值Ｐ型掺杂薄膜活化成低阻值Ｐ型掺杂薄膜的制造方法，利用温度梯度变化所产生的能量，将高阻值Ｐ型掺杂的薄膜活化成低阻值Ｐ型掺杂的薄膜。高阻值Ｐ型掺杂薄膜为Ｐ型掺杂Ⅲ族金属氮化物薄膜、或是Ｐ型掺杂的Ⅱ－Ⅵ族化合物薄膜。利用快速升降温...

一种将高阻值Ｐ型薄膜活化成低阻值Ｐ型薄膜的制造方法，利用温度梯度变化所产生的能量，将高阻值Ｐ型掺杂的薄膜活化成低阻值Ｐ型掺杂的薄膜。高阻值Ｐ型薄膜为Ｐ型掺杂的Ⅲ族金属氮化物薄膜、或是Ｐ型掺杂的Ⅱ－Ⅵ族化合物薄膜。本发明在温度梯度变化过程...

一种使用雷射光降低Ｐ型薄膜阻值的活化方法，利用雷射光使具有高阻值的Ｐ型薄膜活化成低阻值Ｐ型薄膜；高阻值Ｐ型薄膜为Ｐ型掺杂的Ⅲ族金属氮化物薄膜或Ｐ型掺杂的Ⅱ－Ⅵ族化合物薄膜。本发明的方法可直接在大气环境下进行，不需特别在惰气环境下进行，且...

一种三族金属氮化物元件的制造方法，可以改善Ⅲ族金属氮化物磊晶膜与基板晶格不匹配的问题。本发明利用卤化物气相磊晶法、分子束磊晶法或有机金属化学气相沉积法在氧化铝基板上成长一层三族金属氮化物缓冲层，厚度在０．５μｍ以上，再用卤化物气相磊晶法...

一种具有高透光率的发光二极管元件，其利用变化透明电极的结构来增加光的穿透率，进而改善发光二极管元件之透光效率。

一种具有光学反射膜的发光二极管，它包含基板，其特征在于：第一型态半导体形成于透光基板的第一表面；活性层形成于该第一型态半导体之上；第二型态半导体形成于该活性层之上；光学反射膜形成于第二型态半导体表面上。具有结构简单及提高发光效率的功效。

一种多重光源发光装置。为提供一种可产生异于发光元件波长光波的其他类不包括的光源，提出本发明，它包括作为承载基座的凹型帽部、设置于凹型帽座上并形成第一光源的发光元件、包覆发光元件的模构件及形成第二光源的荧光结构；荧光结构包括有机材质及无机...

本发明所揭露的半导体元件的制造方法至少包含：选择一暂时性基板，于暂时性基板上完成元件结构，然后，以物理或化学方式分割成元件彼此独立的区块，接着，选择一永久性基板，将上述暂时性基板上已分割完成的独立区块的另一侧倒置在永久性基板上并进行接合...

一种形成发光二极管的方法，其特征在于，包含以下的步骤：　　　　形成一发光二极管磊晶层于一暂时性基板之上；　　　　以微影蚀刻将该发光二极管磊晶层蚀刻成发光二极管晶粒；　　　　形成一反射层于该发光二极管晶粒之上；　　　　以化学或物理方法形成...