具有高透光率的发光二极管元件制造技术

一种具有高透光率的发光二极管元件，其利用变化透明电极的结构来增加光的穿透率，进而改善发光二极管元件之透光效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光二极管元件，特别是有关于一种藉由改变透明电极的结构而增加光的穿透率，从而具有高透光效率的发光二极管元件。使用化合物半导体来制作发光二极管(light emitting diode；LED)元件时，为了使整个元件能够均匀的发光，必须要使电流能够均匀地由电极流入P型薄膜，因此采用透明电极(transparent contact)，这种透明电极同时兼具有电流分散(current spreading)与透光的功用。以往使用氮化物制作而得的发光二极管，所采用的方式是利用蒸镀机在整个P型薄膜的表面镀满整面的薄金属(例如一至数层的镍/金)作为透明电极，然后在上面覆盖保护层，但是由于薄金属的存在使光的穿透率无法被提高。附图说明图1示意性显示了传统发光二极管元件之剖面结构，其中，11为氧化铝(sapphire)基板，12为经N型掺杂之氮化镓(GaN)，13为经P型掺杂之氮化镓，14为N型接触电极(contact pad)，15为P型接触电极，16为绝缘物质，17a为镍(Ni)，17b为金(Au)，19为二氧化硅形成的保护膜，20为活性层(或发光层)。需注意的是，在此透明电极17由镍17a和金17b双层结构所构成。发光二极管元件动作时，电流由P型接触电极15注入，藉由透明电极17(镍17a和金17b)而被分散，电流流过P型氮化镓13、活性层20、及N型氮化镓12，最后到达N型接触电极14。而发光二极管元件所发出之光线则穿透上述透明电极层17、及二氧化硅保护膜19而显现出来(如图中箭头符号所示)。图2为图1所示发光二极管元件的俯视示意图，其中，图2沿A-A′方向的剖面图即为图1。参照图1、2，由于透明电极17除了设于接触电极15底部部份区域之外，全面覆盖在P型氮化镓13之上。透明电极17主要由镍17a和金17b所构成，虽然为透明层，但是对于光而言，并不具最佳之穿透效率(光线仍会在镍17a和金17b中有损耗之情形)，因此会降低发光二极管之发光效率，而使其亮度降低。有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种具有高透光率的发光二极管元件，藉由在透明电极结构上设计复数个大小不同的孔洞，让更多的光能从这些孔洞射出，达到增加发光二极管元件的亮度的目的。为了达到上述目的，本专利技术提出的具有高透光率的发光二极管元件，至少包括如下单元一第一被覆层，由经第一型掺杂之化合物半导体所构成；例如，由N型掺杂之三族金属氮化物所形成，例如可选自氮化镓、氮化铟、氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓等；一第二被覆层，由经第二型掺杂之第一化合物半导体所构成，例如，由P型掺杂之三族金属氮化物所形成，例如可选自氮化镓、氮化铟、氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓等；一活性层，其设置于上述第一、第二被覆层之间，由经第二型掺杂之第二化合物半导体所构成，例如，由P型掺杂之三族金属氮化物所形成，诸如InGaN/GaN量子井、InAlN/AlN量子井、GaAlN/GaN量子井、InGaAlN/InAlN量子井等；以及，一透明电极层，其设置于上述第二被覆层之上，且该透明电极层中形成有复数个孔洞，而使上述第二被覆层可露出。在本专利技术提供的发光二极管元件中，透明电极层由选自镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、铂(Pt)、钴(Co)、钯(Pd)、银(Ag)、铜(Cu)金属中的至少一种所形成。为更有效提高该透明电极层的光亮度，所述透明电极层亦可以由镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、铂(Pt)、钴(Co)、钯(Pd)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、铟(In)、镁(Mg)、铝(Al)…等之氧化物中，至少选择其一所形成。根据本专利技术提供的发光二极管元件，其还可包括一保护膜，可设置于部分或全部的所述透明电极层上，优选地该保护膜由绝缘介电质所形成，所述绝缘介电质材料材料可选自SiOx、TiO2、SiNx、Al2O3、ZrO2、Ta2O5、HFO2、polyimide(聚酰亚胺)等透明材料。本专利技术与现有技术的主要区别在于，所述发光二极管元件的透明电极层上形成有多个孔洞，其目的在于露出第二被覆层达到增加发光二极管元件的亮度的目的，该孔洞的形状不作限制，可以是圆形、方形、不规则形等，其直径优选为大约0.1-50μm。使用本专利技术的发光二极管，当电流经由P型接触电极流过各被覆层达到N型接触电极，二极管发出的光线就会穿透透明电极层和保护膜(如果有的话)而显现出来，由于透明电极层上形成有很多孔洞，可起到提高光线穿透率的作用，进而可提高发光二极管元件的亮度。优选地，本专利技术的发光二极管元件更可包括一透明物层，其设置于部分或全部的上述透明电极层上，该透明物层选择自具导电性之氧化物、萧特基金属(Shottky metal)、及绝缘介电质其中之一而形成。而所述具导电性之氧化物可选择自ITO(即含In、Ti的氧化物indium titaniumoxide)、IZO(即含In、Zn的氧化物indium zinc oxide)、ATO(即含Al、Ti的氧化物Aluminum titanium oxide)、AZO(即含Al、Zn的氧化物Aluminum zinc oxide)、SnO2其中之一。以下结合具体实施例和附图进一步说明本专利技术目的实现，但仅用于对本专利技术的举例说明，不能限制本专利技术的实施范围。附面说明图1为传统发光二极管元件之剖面结构示意图；图2为图1所示发光二极管元件(透明电极结构)之俯视简图3为显示本专利技术发光二极管元件之第一实施例的剖面结构示意图；图4为显示本专利技术发光二极管元件之第二实施例的剖面结构示意图；图5为上述图3、4中发光二极管元件、及其电极结构之俯视简图。实施例一参见图3所示，本专利技术具有高透光率发光二极管元件，至少包括如下单元一第一被覆层32，其形成于一氧化铝基板31之上，由经N型掺杂之三族氮化物即N型氮化镓所构成；一第二被覆层33，由经P型掺杂之三族氮化物P型氮化镓构成；一活性层(或称发光层)40，设置于上述第一被覆层32和第二被覆层33之间，由三族金属氮化物所构成，该活性层为InGaN/GaN量子井。一透明电极层37，设置于上述第二被覆层32之上；其中，该透明电极层37中形成有复数个孔洞70(参见图5所示)，使上述第二被覆层33可被露出。以及，一保护膜39，形成于部分或全部之上述透明电极层37之上。在此实施例中，上述透明电极层37是先分别镀上镍37a和金37b，形成具有双层薄金属电极结构后，再形成所需之孔洞，而得到透明电极层37。此外，上述保护膜39是经以等离子体促进化学气相沉积法(plasmaenhancement chemical deposition；PECVD)成长SiO2或Si3N4而得。图5为上述图3中发光二极管元件、及其电极结构之俯视简图；亦即图3是图5沿B-B′切线之剖面结构图。将图5与图2相比较清楚可知，本专利技术主要藉由在透明电极层37上形成复数个孔洞70，来增加发光二极管元件的亮度。在此实施例中，上述孔洞70为圆形，其直径大小为0.1-50μm。当发光二极管元件动作时，电流由P型接触电极35注入(其中，36表示绝缘体)，藉由透明电极37而将电流分散，电流流过第二被覆层(P型氮化镓)33、活性层40(InGaN/GaN量子井)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高透光率的发光二极管元件，至少包括： 一第一被覆层，由经第一型掺杂之化合物半导体所构成； 一第二被覆层，由经第二型掺杂之第一化合物半导体所构成； 一活性层，设置于上述第一、第二被覆层之间，由经第二型杂之第二化合物半导体所构成；以及 一透明电极层，设置于上述第二被覆层之上；其中，所述透明电极层中形成有复数个孔洞，而使上述第二被覆层露出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有高透光率的发光二极管元件，至少包括一第一被覆层，由经第一型掺杂之化合物半导体所构成；一第二被覆层，由经第二型掺杂之第一化合物半导体所构成；一活性层，设置于上述第一、第二被覆层之间，由经第二型杂之第二化合物半导体所构成；以及一透明电极层，设置于上述第二被覆层之上；其中，所述透明电极层中形成有复数个孔洞，而使上述第二被覆层露出。2.如权利要求1所述发光二极管元件，其中，上述形成于透明电极层中的孔洞为圆形、或不规则形。3.如权利要求1所述发光二极管元件，其中，上述孔洞的直径为0.1-50μm。4.如权利要求1所述发光二极管元件，其中，上述透明电极层选自镍、铬、金、钛、铂、钴、钯、银、铜的金属中至少一种所形成。5.如权利要求1所述发光二极管元件，其中，上述透明电极层选自镍、铬、金、钛、铂、钴、钯、银、铜、钨、钼、铟、镁、铝的氧化物中至少一种所形成。6.如权利要求1所述发光二极管元件，其更包括设置于部分或全部上述透明电极层上的一透明物层。7.如权利要求6所述发光二极管元件，其中，上述透明物层选择自具导电性的氧化物、萧特基金属、绝缘介电质其中之一而形成。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾坚信，蔡文忠，蔡炯棋，
申请(专利权)人：连威磊晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]