【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到将数据非易失存储的存储单元装置。为了将数据非易失存储已经建议过存储单元装置，其中每个存储单元至少有一个铁电晶体管(见EP 0 566 585 B1)。其中将一种晶体管称为铁电晶体管，这种晶体管有两个源极区/漏极区、一个沟道区和一个栅电极，其中在栅电极和沟道区之间安排了铁电层，也就是说由铁电材料构成的层。这种晶体管的导电性是与铁电材料层的极性状态有关的。将这种铁电晶体管关系到非易失存储器进行试验。其中将铁电材料层的两个不同极性状态分配给信息的两个不同的逻辑数值。在EP 0 566 585 B1已知的存储单元装置中建议，在铁电层下面的基质上对于不同的存储单元各自加上一个电压，以便当信息写入存储单元时避免在另外的，不是选定的存储单元上的信息改变。此外在激活的晶体管区下面安排了掺杂层，这个经过pn-过渡与普通的基质是绝缘的和经过绝缘区与相邻的存储单元是绝缘的，这个对于单个铁电晶体管代表了一个单独的基质。在T.Nakamura，Y.Nakao，A.Kamisawa，H.Takasu简单的晶体管铁电存储单元，IEEE，ISSCC，1995，68至69页中...
【技术保护点】
存储单元装置，－其中在一个半导体基质（１１）上集成了各自有一个铁电晶体管的多个存储单元，－其中铁电晶体管各自包括两个源极区／漏极区（１４），在其中间在半导体基质（１１）的表面上安排了第一个栅中间层（１５，１６）和第一个栅电极（１８），其中第一个栅中间层至少包括一个铁电层（１６），和在其中间在连接线方向在源极区／漏极区之间除了第一个栅中间层（１５，１６）之外安排了第二个栅中间层（１５）和第二个栅电极（１９），其中第二个栅中间层（１５）包括一个介电层（１５），其中第一个栅电极（１８）和第二个栅电极（１９）经过二极管结构至少相互是连接的，－其中安排了原则上平行的字导线（ＷＬｉ），...
【技术特征摘要】
DE 1999-7-6 19931124.21.存储单元装置，-其中在一个半导体基质(11)上集成了各自有一个铁电晶体管的多个存储单元，-其中铁电晶体管各自包括两个源极区/漏极区(14)，在其中间在半导体基质(11)的表面上安排了第一个栅中间层(15，16)和第一个栅电极(18)，其中第一个栅中间层至少包括一个铁电层(16)，和在其中间在连接线方向在源极区/漏极区之间除了第一个栅中间层(15，16)之外安排了第二个栅中间层(15)和第二个栅电极(19)，其中第二个栅中间层(15)包括一个介电层(15)，其中第一个栅电极(18)和第二个栅电极(19)经过二极管结构至少相互是连接的，-其中安排了原则上平行的字导线(WLi)，-其中第二个栅电极(19)各自与一个字导线(WLi)连接，-其中在半导体基质(11)上安排了条形掺杂的空穴区(12)，这是与字导线(WLi)交叉的和各自在铁电晶体管的源极区/漏极区(14)之间的区域延伸。2.按照权利要求1的存储单元装置，-其中安排了位导线，-其中将沿着字导线相邻的铁电晶体管连接为串联的，-其中将存储单元的铁电晶体管各自在相邻位导线之间接通。3.按照权利要求2的存储单元装置，-其中将沿着字导线相邻的铁电晶体管的相互连接的源极区/漏极区(22)构成为共同的扩散区，-其中与字导线平行的条形掺杂的空穴区(28)的宽度小于各个铁电晶体管的源极区/漏极区中点之间的距离。4.按照权利要求2的存储单元装置，其中条形掺杂的空穴区(12)的宽度这样大，在各个条形掺杂的空穴区(12)内部安排了各个晶体管的两个源极区/漏极区(14)。5.按照权利要求4的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：TP哈尼德，H巴奇霍弗，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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