用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟-镓硫系化物的相变介质制造技术

一种使用铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓的硫系化物薄膜的超高密度数据存储介质（９０２），其目的是：形成一些起着光电导、光生伏打、或光致发光的半导体器件作用的位存储区（９０４），当暴露于电磁辐射下时这些位存储区就产生电信号；或形成一些起着阴极射线电导、阴极射线生伏打、或阴极射线发光的半导体器件作用的位存储区（９０４），当暴露于电子束下时这些位存储区就产生电信号。位的两个数值由该数据存储介质的两个固相，即晶态相和非晶态相来表示，两相之间的转变可用加热该位存储区的方法来实现。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于永久性的电子数据存储器件的超高密度的数据存储介质，具体地说，涉及一类13/III族金属与16/VI族的硫系化物构成的半导体化合物，这类半导体化合物具有一些相变特性和电子学特性，这些特性使得数据存储介质内的位存储区能多次写入和用作微型光电导、光生伏打、光致发光、阴极射线电导、阴极射线生伏打、或阴极射线发光等半导体器件，从而便于数据检索。在一些金属中，如附图说明图1所示，EF落在由能量间隔很小的允许量子态构成的能带的中部112处。在量子态的能带内，一极小的电压就能使电子从较低能量的量子态跃迁到较高能量的量子态，这因而就能使该电子相当自由地在金属中穿行。由于这些自由移动的电子，金属就成为可传送电流的良导体。在绝缘体中，如图2所示，EF落在202处，这位置在由量子态的能带204和206之间的带隙208之内，在这里需要一较大的电压才能使电子跃迁到一更高的能级上。因此，比较来说在绝缘体中的电子是不大易于移动的，在给定电压下传送的电流远比金属小。如图3所示，半导体与绝缘体相似，只是在半导体中EF所落在的低能价带304和高能导带306之间的带隙302比绝缘体更窄，这就允许热能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高密度的基于相变的数据存储介质（９０２），由包括从下列物质中选出的一种半导体化合物的一层或多层半导体膜制作：铟的硫系化物；镓的硫系化物；铟－镓硫系化物。

【技术特征摘要】
US 2001-2-20 09/7894581.一种超高密度的基于相变的数据存储介质(902)，由包括从下列物质中选出的一种半导体化合物的一层或多层半导体膜制作铟的硫系化物；镓的硫系化物；铟-镓硫系化物。2.权利要求1所述的超高密度数据存储介质(902)，包含从下列选出的硫系元素碲；硒。3.权利要求1所述的超高密度的基于相变的数据存储介质(902)，由包括从下列物质中选出的一种半导体化合物的一层或多层半导体膜制作InSe；In2Se3；InTe；In2Te3；InSeTe；GaSe；Ga2Se3；GaTe；Ga2Te3；GaSeTe；InGaSe2；InGaTe2；InGaSeTe。4.权利要求1所述的超高密度数据存储介质(902)，其特征在于该半导体化合物的性能可通过下述中的一种方法而加强在该半导体化合物中掺入从I，II，IV和VII族元素中选出的一种或多种元素；使该半导体化合物与从II，III，V和VI族元素中选出的一种或多种元素形成合金。5.权利要求1所述的超高密度数据存储介质(902)，其特征在于数据位是存储在该超高密度数据存储介质的一位存储区(904)中，而且当该位存储区(904)中的该半导体化合物处于第一固态相时，则该位存储区就包含具有第一位值的一数位，而当该位存储区处于第二固态相时，则该位存储区就包含具有第二位值的一数位，固态相包含非晶态相和晶态相。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：A柴肯，G吉布森，H李，K瑙卡，CC杨，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]