半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件，特别是具有接地端、以及配置在其周边的多个信号端的半导体器件，其目的在于提供提高其性能的技术。为了达到上述目的，使得与功能块（１１）连接的接地端（５、３５）和与功能块（１２）连接的接地端（６、３６）分离。因此，对某一功能块通过接地端供给的接地电位不随流过另一功能块的电流大小而变化。其结果，各功能块的性能提高，半导体器件的性能提高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及具有接地端、以及配置在其周边多个信号端的半导体器件。
技术介绍
图11所示为以往的半导体器件101的结构平面图，是表示从前底面来看时的外形。另外，图12所示为以往的半导体器件101的构成方框图，为了简单起见，省略了图11所示的电源端107及信号端104的图示。如图11及12所示，以往的半导体器件101具有由多个功能构成的半导体集成电路110、放置该半导体集成电路110的管壳102、以及从管壳102外露的1个接地端105和多个信号端104和电源端107。半导体集成电路110具有例如是数字电路的功能块111、以及例如是模拟电路的功能块112。在功能块111中设置供给成为其动作基准的接地电位的电极(以后称为“电极111a”)，在功能块112中设置供给成为其动作基准的接地电位的电极(以后称为“电极112a”)。管壳102由形成半导体器件101外形106的模铸树脂103构成。该模铸树脂103使接地端105、电源端107及信号端104露出，并将接地端105、电源端107及信号端104封装。接地端105、电源端107及信号端104设置在管壳102的底面，电源端107及信号端104配置在接地端105的周边。如图12所示，接地端105在管壳102的内部与上述电极111a及电极112a电气连接，从半导体器件101地外部向接地端105供给接地电位120。通过这样，接地端105与各功能块111及112电气连接，对各功能块111集112通过接地端105供给成为它们动作基准的接地电位。信号端104在图12中虽未示出，但在管壳102的内部与功能块111或功能块112电气连接。对与功能块111连接的某信号端104，从半导体器件101的外部供给例如成为数字电路动作基准的时钟信号或其它输入信号，其结果来自外部的输入信号供给功能块111。另外，对与功能块111连接的其它信号端104，供给来自功能块111的输出信号。通过这样，半导体器件101的外部器件能够接受来自功能块111的输出信号。对与功能块112连接的某信号端114，从半导体器件101的外部供给例如用天线(未图示)接收到高频信号，其结果该高频信号供给功能块112。另外，对与功能块112连接的其它信号端104，供给来自功能块112的输出信号。另外，以后有的情况下，将从半导体器件101地外部供给信号的信号端101称为“输入信号端104”，将供给来自功能块111或112多输出信号的信号端104称为“输出信号端104”。电源端107在图12中虽未图示，但在管壳102的内部与功能块111及功能块112电气连接，从半导体器件101的外部供给半导体集成电路110动作用的所必需的电源、例如正电位。通过这样，对各功能块111及112通过电源端107供给电源，各功能块111及112以通过接地端105供给的接地电位为基准进行动作。若半导体集成电路110动作，则对功能块111及112分别流过电流I111及I112。这些电流I111及I112从电源端107、输入信号端104或输出信号端104流向接地端105。若电流I111及I112流向接地端105，则由于接地端105的电阻及电感等阻抗115的作用，在从半导体器件101的外部供给接地端105的接地电位120、与实际供给电极111a及112a的接地电位之间产生电位差。由于电流I111及I112的两个电流流向接地端105，因此该电位差随各电流I111及I112的大小而变化。即，供给功能块111及112的某一功能块的接地电位不仅随自己本身流过的电流大小而变化也随流过另一功能块的电流大小而变化。因而，有的情况下某一功能块的性能随流过另一功能块的电流大小而恶化，通过这样作为整个半导体器件101的性能就恶化。
技术实现思路
本专利技术正是为了解决上述那样的问题而进行的，其目的在于提供提高半导体器件性能的技术。本专利技术有关的半导体器件的第1方面，是包括具有第1功能块及第2功能块的半导体集成电路、放置所述半导体集成电路的管壳、以及从所述管壳外露的接地端和信号端，所述接地端包含互相分离的第1及第2接地端，所述信号端包含配置在所述接地端周围的多个第1信号端，所述第1接地端与所述第1功能块电气连接，所述第2接地端与所述第2功能块电气连接。本专利技术有关的半导体器件的第2方面，是所述第2接地端包围所述第1接地端。本专利技术有关的半导体器件的第3方面，是所述信号端还包含第2信号端，前述第2接地端也包围所述第2信号端。根据本专利技术有关的半导体器件的第1方面，由于与第1功能块连接的第1接地端和与第2功能块连接的第2接地端分离，因此对某一功能块通过接地端供给的接地电位不随流过另一功能块的电流大小而变动。其结果，第1及第2功能块的各自的性能提高，半导体器件的性能提高。根据本专利技术有关的半导体器件的第2方面，由于第2接地端包围第1接地端，因此第1接地端的电位不容易受到第1信号端的电位变化的影响。根据本专利技术有关的半导体器件的第3方面，由于第2接地端也包围第2信号端，因此不仅第1接地端的电位，而且第2信号端的电位也不容易受到第1信号端的电位变化的影响。根据以下的详细说明及附图，将更明白本专利技术的目的、特性、方面及优点。附图说明图1所示为本专利技术实施形态1有关的半导体器件的结构平面图。图2所示为本专利技术实施形态1有关的半导体器件的构成方框图。图3所示为本专利技术实施形态1有关的半导体器件的结构平面图。图4所示为本专利技术实施形态1有关的半导体器件的结构剖面图。图5所示为本专利技术实施形态2有关的半导体器件的结构平面图。图6所示为本专利技术实施形态2有关的半导体器件的结构平面图。图7所示为本专利技术实施形态2有关的半导体器件的结构剖面图。图8所示为本专利技术实施形态3有关的半导体器件的结构平面图。图9所示为本专利技术实施形态3有关的半导体器件的结构平面图。图10所示为本专利技术实施形态3有关的半导体器件的结构剖面图。图11所示为以往的半导体器件的结构平面图。图12所示为以往的半导体器件的构成方框图。具体实施例方式1.实施形态1图1及图3所示为本专利技术实施形态1有关的半导体器件1的结构平面图，图4为图3所示的箭头III-III方向的剖面图。图1所示为从底面来看时的外形，图3所示为从上面来看时的内部结构。另外，在图3中，由于是表示半导体器件1的内部结构，因此省略图1所示的模铸树脂3的图示，用虚线表示半导体器件1的外形7。另外，图2所示为本实施形态1有关的半导体器件1的构成方框图，为了简单起见，省略了图1所示的电源端8及信号端4的图示。如图1～图4所示，实施形态1有关的半导体器件1包括具有多个功能块的半导体集成电路10、放置该半导体集成电路10的管壳2、以及从管壳2外露的接地端66和多个信号端4和1个电源端8。半导体集成电路10形成在半导体芯片21上，例如具有2个功能块11及12。功能块11例如用数字电路构成，功能块12例如用模拟电路构成。具体来说，例如在将实施形态1有关的半导体器件1用于数字调制信号的接收机时，功能块12用包含从接收信号取出希望信号的滤波器电路、以及将该滤波器电路的输出放大的放大器电路等的模拟电路构成，功能块11用包含对解调的数字信号进行纠错等解码器等的数字电路构成。如图3所示，在半导体芯片21的上表面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括具有第１功能块及第２功能块的半导体集成电路、放置所述半导体集成电路的管壳、以及从所述管壳外露的接地端和信号端，所述接地端包含互相分离的第１及第２接地端，所述信号端包含配 置在所述接地端周围的多个第１信号端，所述第１接地端与所述第１功能块电气连接，所述第２接地端与所述第２功能块电气连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，包括具有第1功能块及第2功能块的半导体集成电路、放置所述半导体集成电路的管壳、以及从所述管壳外露的接地端和信号端，所述接地端包含互相分离的第1及第2接地端，所述信号端包含配置在所述接地端周围的多个第1信号端，所述第1接地端...

【专利技术属性】
技术研发人员：二宫圭治，伊东健治，上马弘敬，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]