半导体器件制造技术

公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面形成的器件有源部分；在所述半导体衬底的主表面形成的、以围绕所述器件有源部分的外围的器件隔离部分；层叠在所述器件有源部分上的绝缘膜；以及层叠在所述绝缘膜上的栅电极；其中，所述器件有源部分包括：沿栅极长度方向彼此相对地设置的源极区和漏极区；以及置于所述源极区和所述漏极区之间，并且与所述源极区和漏极区呈现不同导电类型的沟道区；所述沟道区包括：连接所述源极区和所述漏极区，并且具有近似矩形形状的中心区；以及沿栅极宽度方向从所述中心区的一侧端凸出的凸出区；以及当沿所述迭层方向观看时，所述沟道区位于从所述栅电极向内的方向。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地讲，涉及一种包括使用STI(浅沟隔离)形成的器件隔离部分的半导体器件。
技术介绍
半导体集成电路包括绝缘栅极场效应晶体管(下文中称作“晶体管”)。在所述半导体衬底中，由器件隔离部分将这些晶体管彼此电分离。用于形成这种器件隔离部分的方法是使用STI(shallow trenchisolation浅沟隔离)的器件隔离方法。通过在半导体衬底中形成沟槽并且然后用绝缘材料填充该沟槽来形成STI。允许形成具有较窄隔离宽度的器件隔离部分的STI是近来小规模制作工艺的主流器件隔离方法。然而，在使用STI器件隔离方法制作的半导体器件中，所述晶体管的阈值电压特征可能退化。具体地讲，如图13所示，所述晶体管示出了增加泄漏电流的所谓凸峰特征(用实线表示)，而不是其原始的晶体管特征(用虚线表示)。因此与原始的晶体管特征相比，增加了泄漏电流。该现象是因为以下原因而发生的位于所述STI和所述沟道区之间的边界附近的部分中的阈值电压变得低于所述沟道区的中心部分中的阈值电压，以致引起位于所述边界附近的那些部分作为寄生晶体管工作。形成所述寄生晶体管的一个原因是所述STI和所述沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面形成的器件有源部分；在所述半导体衬底的主表面形成的、以围绕所述器件有源部分的外围的器件隔离部分；层叠在所述器件有源部分上的绝缘膜；以及层叠在所述绝缘膜上的栅电极；其中，所述器件有源部分包括：沿栅极长度方向彼此相对地设置的源极区和漏极区；以及置于所述源极区和所述漏极区之间，并且与所述源极区和漏极区呈现不同导电类型的沟道区；所述沟道区包括：连接所述源极区和所述漏极区，并且具有近似矩形形状的中心区；以及沿栅极宽度方向从所述中心区的一侧端凸出的凸出区；以及当沿所述迭层方向观看时，所述沟道区位于从所述栅电极向内的方向。

【技术特征摘要】
JP 2007-4-19 2007-110657;JP 2006-5-31 2006-1516051.一种半导体器件，包括半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面形成的器件有源部分；在所述半导体衬底的主表面形成的、以围绕所述器件有源部分的外围的器件隔离部分；层叠在所述器件有源部分上的绝缘膜；以及层叠在所述绝缘膜上的栅电极；其中，所述器件有源部分包括沿栅极长度方向彼此相对地设置的源极区和漏极区；以及置于所述源极区和所述漏极区之间，并且与所述源极区和漏极区呈现不同导电类型的沟道区；所述沟道区包括连接所述源极区和所述漏极区，并且具有近似矩形形状的中心区；以及沿栅极宽度方向从所述中心区的一侧端凸出的凸出区；以及当沿所述迭层方向观看时，所述沟道区位于从所述栅电极向内的方向。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸出区底端的宽度等于或小于所述中心区的一个侧端的宽度。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述凸出区的突出部分的宽度沿所述凸出区凸出的方向连续地变化。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述凸出区的突出部分的宽度沿所述突出区凸出的方向连续地减小。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：今出昌宏，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]