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公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面形成的器件有源部分；在所述半导体衬底的主表面形成的、以围绕所述器件有源部分的外围的器件隔离部分；层叠在所述器件有源部分上的绝缘膜；以及层叠在所述绝缘膜上的栅电极；其中，所述器件...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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