固态成像装置制造方法及图纸

一种固态成像装置，包括半导体衬底、光电探测器元件以及阻挡层。固态成像装置在背表面上接收光，对入射在半导体衬底的背表面上的光进行光电转换，从而获得待成像物体的图像。光电探测器元件接收由光电转换产生的信号电荷。在具有光电探测器元件的半导体衬底的区域和背表面之间，具有阻挡层。阻挡层抑制信号电荷的扩散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态成像装置。
技术介绍
发展至今的固态成像装置包括日本特开公开No.2000-217803和日本特开公开No.2002-33469中公开的固态成像装置。根据这些文献的固态成像装置包括二维排列的多个光电探测器元件(光电晶体管)。除前述文献外，与本专利技术的相关技术有关的文献还包括日本特开公开No.2006-19757。本专利技术人的认识如下。然而，在前述固态成像装置中，本应到达光电探测器元件中的一个光电探测器元件的信号电荷有时都会到达其它光电探测器元件(特别是相邻的光电探测器元件)。这导致调制传递函数的退化(下文中称为MTF)。
技术实现思路
根据本专利技术，提供了一种固态成像装置，用于对入射到半导体衬底的背表面上的光进行光电转换，从而获得待成像物体的图像，其包括接收通过光电转换产生的信号电荷的光电探测器元件，其位于半导体衬底中；以及抑制信号电荷扩散的阻挡层，其位于具有光电探测器元件的半导体衬底中的区域和背表面之间。如此构造的固态成像装置在半导体衬底中包括抑制信号电荷扩散的阻挡层。该构造降低了本应到达光电探测器元件中的一个光电探测器元件的信号电荷到达其它光电探测器元件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像装置，用于对入射在半导体衬底的背表面上的光进行光电转换，从而获得待成像物体的图像，其包括：光电探测器元件，其配置在所述半导体衬底中，用于接收通过所述光电转换产生的信号电荷；以及阻挡层，其配置在所述半导体衬底中的配置有所述光电探测器元件的区域和所述背表面之间，用于抑制所述信号电荷的扩散。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-1 2006-1531831.一种固态成像装置，用于对入射在半导体衬底的背表面上的光进行光电转换，从而获得待成像物体的图像，其包括光电探测器元件，其配置在所述半导体衬底中，用于接收通过所述光电转换产生的信号电荷；以及阻挡层，其配置在所述半导体衬底中的配置有所述光电探测器元件的区域和所述背表面之间，用于抑制所述信号电荷的扩散。2.如权利要求1所述的固态成像装置，进一步包括多个光电探测...

【专利技术属性】
技术研发人员：中柴康隆，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]