CMOS图像传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括以Ｎ型区为电荷收集区的光电二极管和可产生低于“地”的负电压Ｖｓ’的电荷泵，光电二极管的Ｐ端与该负电压Ｖｓ’相连接；或者包括以Ｐ型区为电荷收集区的光电二极管和可产生高于“电源”的正电压Ｖｄ’的电荷泵，光电二极管的Ｎ端与该正电压Ｖｄ’相连接。本发明专利技术可以显著改善ＣＭＯＳ图像传感器的动态信号范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路器件，特别是涉及一种CMOS (互补 金属氧化物半导体)图像传感器。
技术介绍
在图像传感器领域，CCD (电荷藕合器件) 一直处于主导地位。但是 由于其制造工艺与CMOS工艺无法兼容，信号处理电路无法与CCD集成在 同一芯片上，给CCD在制造成本和系统解决方案上带来了无法克服的局 限。近年来，CMOS图像传感器(有源像素)技术迅速发展。CMOS图像传 感器的制造工艺与信号处理芯片的CMOS电路制造工艺完全兼容，因此可 以很方便的将图像传感器与信号处理集成在同一芯片上，不仅降低了系统 成本，而且使系统的功耗降低，系统集成方案更加简单，并更加微型化。通常地， 一个CMOS有源像素包含了 3-4个MOS晶体管和一个反偏压 的光电二极管。根据工艺和设计的不同，该光电二极管可以是，如图1 所示的以N型区为电荷收集区的光电二极管，或如图2所示的以P型区为 电荷收集区的光电二极管。CMOS图像传感器的动态范围取决于光电二极管的Well C印acity (阱 容量)和噪声的比值，在噪声不变的情况下提高阱容量可以提高动态范围。 而光电二极管的阱容量取决于它的电容和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，其特征在于：包括以Ｎ型区为电荷收集区的光电二极管和产生低于“地”的负电压Ｖｓ’的电荷泵，光电二极管的Ｐ端与该负电压Ｖｓ’相连接；或者包括以Ｐ型区为电荷收集区的光电二极管和产生高于“电源”的正电压Ｖｄ’ 的电荷泵，光电二极管的Ｎ端与该正电压Ｖｄ’相连接。

【技术特征摘要】
1、一种CMOS图像传感器，其特征在于包括以N型区为电荷收集区的光电二极管和产生低于“地”的负电压Vs’的电荷泵，光电二极管的P端与该负电压Vs’相连接；或者包括以P型区为电荷收集区的光电二极管和产生高于“电源”的正电压Vd’的电荷泵，光电二极管的N端与该正电压Vd’相连接。2、 根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于具有以N型区为电荷收集区的光电二极管的CMOS图像传感器的芯片 电路中，光电二极管的P端与外围电路的P阱隔离，外围电路的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，李文强，李杰，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]