衬底、衬底检测方法以及制造元件和衬底的方法技术

本发明专利技术提供一种衬底检测方法，通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底，每一衬底在其表面上设有多个层，以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤，膜形成步骤，局部刻蚀步骤和检测步骤或成分分析步骤。在步骤中，通过去除外延层的至少部分从而在衬底主表面的设有外延层的区域中形成凹陷。在该检测步骤中，对凹陷中暴露的层进行检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种衬底、衬底检测方法和制造元件和衬底的方法，更具体地涉及一种在其表面设有高质量的层的衬底、衬底检测方法和使用该衬底检测方法制造元件和衬底的方法。
技术介绍
已知设有硅衬底的半导体器件。在制造该半导体器件的工艺中，检测例如载流子浓度的各种性能来确定是否所制造的半导体器件的性能满足预定的标准(见，例如日本专利特开No.2001-24041)。还已知例如GaN，AlN或SiN的所谓宽带隙半导体被用于例如LD光学器件和使用肖特基势垒二极管(SBD)等的功率器件中。在制造该器件的方法中，类似于半导体器件的常规制造方法，首先在由宽带隙半导体制成的衬底表面上形成外延生长层，然后对设有如此形成的该外延生长层的衬底表面进行非破坏性检测例如PL(光致发光，Photo-Luminescence)测量，用来确定外延生长层的膜质量等。但是，该非破坏性检测仅仅能提供与外延生长层的表面和其临近区域有关的信息。为了对整个外延生长层进行必要的检测，通过切割衬底对外延生长层中的每一层进行破坏性测量，例如以CV方法和/或PL测量的载流子浓度测量。可以对相同外延批次的所有衬底(即，在相同外延生长步骤中形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底检测方法，包括步骤：　　　　制备在其主表面设有多个层的衬底；　　　　通过在设有所述多个层的区域中去除所述多个层的至少部分，在所述衬底的主表面上形成开口；以及　　　　对所述开口中暴露的所述层进行检测。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-1 2006-153555;JP 2007-1-24 2007-0141721.一种衬底检测方法，包括步骤制备在其主表面设有多个层的衬底；通过在设有所述多个层的区域中去除所述多个层的至少部分，在所述衬底的主表面上形成开口；以及对所述开口中暴露的所述层进行检测。2.如权利要求1的衬底检测方法，其中在所述形成开口的步骤中，在设有所述多个层的区域中形成多个开口；和在所述进行检测的步骤中，在所述多个开口的每一个中进行检测。3.如权利要求1的衬底检测方法，其中所述衬底的材料包括选自由GaN、AlN和SiC构成的组中的一种材料，和所述层的材料包括选自由AlGaN、InGaN和GaN构成的组中的一种材料。4.一种制造元件的方法，包括步骤使用如权利要求1的衬底检测方法进行检测，并检测所述衬底，和在依照所述进行检测步骤的检测结果被确定为满足预定标准的所述衬底的设有所述多个层的区域内，在除设有所述开口的部分之外的区域中，形成元件。5.一种制造衬底的方法，包括步骤制备衬底；在所述衬底的主表面上形成多个层；检测设有所述多个层的该衬底，所述检测衬底的步骤包括以下步骤通过在设有所述多个层的区域中去除所述多个层的至少部分，在所述衬底的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村孝夫，上田登志雄，京野孝史，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]