【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种具有球栅阵列(BGA)衬底的半导体器件,在所述BGA衬底中封装了半导体芯片。技术背景近来,对于在关键任务通信设备和高端计算机中使用的半导体器件 越来越要求要求所述半导体器件更快并且具有更高的性能。为满足此要 求,必须减小半导体芯片和其中封装了半导体芯片的半导体器件的尺寸。 小型化的一种解决方案是BGA封装。例如,在JP 2001-144214A中可看到考虑用于键合(bonding) BGA 封装和电路衬底的键合结构的技术。该出版物公开了 一种半导体器件及其键合结构,通过对周边上的金 属球给出比其他金属球更高拉伸强度的金属球,延长了键合寿命。同样,R. Mathew等人写的、并且在2006年5月31日以2006 IEEE ECTC会i义(P35-40)形式出版的文章1 Gb/s Ether Physical Layer Device Package Development公幵了一种半导体器件结构,所述半导 体器件结构通过封装芯片使得芯片中心偏离BGA衬底中心,实现了稳定 的供电。然而,传统的BGA封装从来没有考虑 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括: 具有边缘的半导体芯片; 安装所述半导体芯片的组装衬底; 多个焊盘,设置在所述组装衬底上以将球与组装衬底相连;以及 多个接线端,设置在所述焊盘上面; 其中半导体芯片的中心偏离组装衬底的中心,所述边缘偏离所述焊盘。
【技术特征摘要】
JP 2007-3-7 2007-0571201.一种半导体器件,包括具有边缘的半导体芯片;安装所述半导体芯片的组装衬底;多个焊盘,设置在所述组装衬底上以将球与组装衬底相连;以及多个接线端,设置在所述焊盘上面;其中半导体芯片的中心偏离组装衬底的中心,所述边缘偏离所述焊盘。2. 根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述边缘具有长度, 使得当半导体芯片的中心与组装衬底的中心彼此重合时,所述边缘与所 述焊盘重叠。3. 根据权利要求1所述的半导体器件,其中通过键合将半导体芯 片与组装衬底相连。4. 根据权利要求1所述的半导体器件,其中通过倒装芯片键合将 半导体芯片与组装衬底相连。5. 根据权利要求1所述的半导体器件,其中按照相等间隔的矩阵 形式将所述接线端排列在组装衬底上。6. 根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:二阶堂裕文,
申请(专利权)人:恩益禧电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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