半导体器件制造技术

一种半导体器件（１），其包括：ＭＯＳ晶体管（１０）和（７０）以及ＭＯＳ变容二极管（２０）。晶体管（１０）和（７０）以及变容二极管（２０）形成在相同的半导体衬底（３０）上。晶体管（１０）和（７０）的栅绝缘膜（１５）和（７５）是形成在半导体衬底（３０）中的晶体管的栅绝缘膜中最薄的栅绝缘膜。变容二极管（２０）的栅绝缘膜（２５）的厚度大于栅绝缘膜（１５）和（７５）的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件。
技术介绍
图3是示出常规半导体器件的截面图。在常规半导体器件100中， 晶体管120和140以及变容二极管130形成在p型半导体衬底IIO上。 晶体管120和140以及变容二极管130全部是金属氧化物半导体(MOS) 型。晶体管120是p沟道型，并且包括n型阱区121、 p+型扩散层122、 n+型扩散层123、栅绝缘膜124和栅电极125。扩散层122用作晶体管 120的源-漏区。晶体管140是n沟道晶体管，并且包括p型阱区141、 n+型扩散层142、 p+型扩散层143、栅绝缘膜144和栅电极145。扩散 层142用作晶体管140的源-漏区。变容二极管130包括n型阱区131、 n+型扩散层132、栅绝缘膜134和栅电极135。在与形成变容二极管130 的栅绝缘膜134的同时，同时形成晶体管120和140的栅绝缘膜124 和144，并且这些膜具有相同的厚度。涉及本专利技术的现有技术文献包括日本专利特开No.2004-311,858; 日本专利特开No.2004-214,408;日本专利特开No.2004-235,577;日本 专利特开No.20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　　　　设置在半导体衬底中的金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ）型晶体管；和　　　　设置在所述半导体衬底中的ＭＯＳ型变容二极管；　　　　其中，所述变容二极管的栅绝缘膜比所述晶体管的栅绝缘膜中最薄的栅绝缘膜厚。

【技术特征摘要】
JP 2007-4-16 2007-1073271.一种半导体器件，包括设置在半导体衬底中的金属-氧化物-半导体(MOS)型晶体管；和设置在所述半导体衬底中的MOS型变容二极管；其中，所述变容二极管的栅绝缘膜比所述晶体管的栅绝缘膜中最薄的栅绝缘膜厚。2. 如权利要求l所述的半导体器件，其中，所述变容二极管组成 LC谐振型电压控制振荡器。3. 如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述变容二极管的所 述栅绝缘膜比组成所述电压控制振荡器的晶体管的栅绝缘膜厚。4. 如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：中柴康隆，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]