专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
恩益禧电子股份有限公司
>
半导体器件制造技术
>技术资料下载
下载半导体器件的技术资料
文档序号:3171331
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体器件(1),其包括:MOS晶体管(10)和(70)以及MOS变容二极管(20)。晶体管(10)和(70)以及变容二极管(20)形成在相同的半导体衬底(30)上。晶体管(10)和(70)的栅绝缘膜(15)和(75)是形成在半导体衬底...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。