封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括设有焊垫的芯片，与芯片上的焊垫电连通的中介金属层，焊接凸点，以及与焊接凸点电连通的再分布金属层，所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通。本发明专利技术简化了封装结构，并使得其制造流程减少，降低了成本，并提高了良率。另外，再分布金属层与中介金属层的连接部分采用凹形连接，部分采用一形连接，使得在保持连接稳定性的同时增加凸点的连接数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，尤其涉及一种。
技术介绍
晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Size Packaging, WLCSP )技术 是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯 片尺寸与棵片完全一致。晶圆级芯片尺寸封装技术彻底颠覆了传统封装如陶 瓷无引线芯片载具(Ceramic Leadless Chip Carrier)、有才几无引线芯片载具 (Organic Leadless Chip Carrier)和数码相机模块式的模式，顺应了市场对微 电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片尺寸封装技术 封装后的芯片尺寸达到了高度微型化，芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圓 尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片尺寸封装技术是可以将IC设计、晶圆制 造、封装测试、基板制造整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和未来 发展的趋势。中国专利技术专利申请第200610096808.X号公开了 一种基于晶圆级芯片尺寸 封装技术所制造的双层引线。如图l所示，该双层引线 封装结构包括具有空腔壁110的玻璃基板105、具有光学元件101和焊垫115的 芯片120、玻璃层130以及焊接凸点150，芯片120设有光学元件101的第一表面 通过焊垫115与空腔壁110连接；芯片120的另一表面与玻璃层130的第一表面 之间夹合有绝缘层125;玻璃层130的另一表面部分覆有第一焊接掩膜层135; 第一焊接掩膜135不与玻璃层130接触的表面部分覆有第二金属层142;玻璃层 130、绝缘层125、空腔壁110的侧壁上部分覆有中介金属层140，中介金属层 140与焊垫115以及第二金属层142连接形成电连通；第二金属层142不与第一焊接掩膜135接触的表面，以及第 一焊接掩膜135不与玻璃层130接触且未覆盖 第二金属层142的表面上覆有第二焊接掩膜135，第二焊接掩膜135上开设有暴 露第二金属层142的通孔；所述通孔内覆有与第二金属层142电连通的再分布 金属层141,再分布金属层141部分延伸至第二焊接掩膜135上焊接凸点150对 应的位置；再分布金属层141的表面覆有保护层146,保护层146上焊接凸点150 对应的位置上开设有暴露再分布金属层141的通孔，焊接凸点150通过该通孔 与再分布金属层41电连通。上述封装所形成的从焊塾115至焊接凸点150的电连通，需要依次经过中 介金属层140、第二金属层142和再分布金属层141，即与焊垫115电连通的中 介金属层140和与焊接凸点150电连通的再分布金属层141之间，需要经过第二 金属层142形成电连通，结构相对复杂。因此在制造该封装结构的过程中，相 应需要形成三层金属层，导致生产的流程长、成本高，并间接导致良率下降。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种结构简单的双层51线封装结构及其制 造方法，可以减少制造流程、降低成本，以及^R高良率。为解决上述技术问题，根据本专利技术的一个方面，提供一种封装结构，包 括设有焊垫的芯片，与芯片上的焊垫电连通的中介金属层，焊接凸点，以及 与焊接凸点电连通的再分布金属层，所述再分布金属层与中介金属层直接连 接形成电连通。可选地，所述焊接凸点有至少两个，其中至少有一个凸点，与之连f妻的 再分布金属层与中介金属层的连接方式为凹形连接。可选地，其余凸点，与之连接的再分布金属层与中介金属层的连接方式 为一形连接。可选地，所述焊垫与所述中介金属层之间为T形连接。可选地，还包括边缘延伸出焊垫的芯片、玻璃基板以及绝缘层，所述玻 璃基板与绝缘层通过夹持所述焊垫而包围所述芯片，所述芯片上面向玻璃基 板的一侧设有光学感应元件。根据本专利技术的另一方面， 一种封装结构的制造方法，包括步骤提供部 分暴露焊垫的半封装结构；于半封装结构上形成中介金属层，并使中介金属 层与所述焊垫电连通；刻蚀中介金属层，形成图形化中介金属层；形成再分 布金属层，所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通；刻蚀再分 布金属层，形成图形化再分布金属层；在图形化再分布金属层上形成与之电 连通的焊接凸点。可选地，所述形成再分布金属层的步骤为于半封装结构覆有中介金属 层的一侧形成掩膜层；在掩膜层上形成部分暴露中介金属层的掩膜通孔；于 半封装结构覆有掩膜层的一侧形成再分布金属层，使得再分布金属层与中介 金属层在掩膜通孔内直接连接形成电连通。可选地，所述掩膜通孔有多个，再分布金属层的一部分覆盖至少一个掩 膜通孔并延伸至掩膜层表面，且保护层通孔与对应的掩膜通孔在垂直于保护 层的方向上不相交。可选地，再分布金属层的其余部分只覆盖其余掩膜通孔，且保护层通孔 与对应的掩膜通孔在垂直于保护层的方向上相交或重合。可选地，所述部分暴露焊垫为暴露焊垫的侧壁，且中介金属层与所述焊 垫的侧壁形成电连通。可选地，所述半封装结构包括边缘延伸出焊垫的芯片、玻璃基板以及绝 缘层，所述玻璃基板与绝缘层通过夹持所述焊垫而包围所述芯片，所述芯片 上面向玻璃基板的 一侧设有光学感应元件。与现有技术相比，本专利技术的优点在于封装结构中的再分布金属层与中介金属层之间直接连接，免去了现有技术中连接中介金属层和再分布金属层 的其他金属层，筒化了封装结构，并使得其制造流程减少，提高了生产效率， 降低了成本，并提高了良率。另外，再分布金属层与中介金属层之间的直接连接部位有多个，其中至 少一个的连接方式为凹形连接，使得连接更加稳定。再者，其余连接部位为一形连接，可以减少再分布金属层的面积，提高 封装结构的表面利用率，增加焊接凸点的数量。当所述连接部分采用凹形连 接，而部分釆用一形连接，可以在保持连接稳定性的同时增加凸点的连接数量。附图说明图1为现有技术封装结构示意图； 图2为本专利技术封装结构一个实施例示意图； 图3为本专利技术封装结构的制造方法一个实施例流程图； 图4至图13为执行图3中各步骤之后封装结构示意图。具体实施方式 实施例1本实施例提供一种结构简单的双层引线封装结构，使得封装结构中与焊 接突点电连通的再分布金属层和与芯片上的焊垫电连通的中介金属层之间直 接连接，免去了现有技术中连接中介金属层和再分布金属层的其他金属层， 简化了封装结构，并使得其制造流程减少，降低了成本，并提高了良率。为此，本实施例提供一种封装结构，包括设有焊垫的芯片，与芯片上的 焊垫电连通的中介金属层，焊接凸点，以及与焊接凸点电连通的再分布金属 层，所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通。可选地，所述焊接凸点有至少两个，其中至少有一个凸点，与之连接的再分布金属层与中介 金属层的连接方式为凹形连接。可选地，其余凸点，与之连接的再分布金属 层与中介金属层的连接方式为一形连接。可选地，所述焊垫与所述中介金属层之间为T形连接。可选地，还包括边缘延伸出焊垫的芯片、玻璃基板以及绝缘层，所述玻璃基板与绝缘层通过夹持所述焊垫而包围所述芯片，所述芯片上面向玻璃基板的 一侧:没有光学感应元件。 下面结合附图对实施例进行具体说明。本实施例的封装结构如图2所示，包括具有空腔壁210的玻璃基板205, 边缘延伸出焊垫215且表面设有光学元件201的芯片220，由绝缘材料层231、 玻璃层232和緩冲层233依次叠加形成的绝缘层230，中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，包括设有焊垫的芯片，与芯片上的焊垫电连通的中介金属层，焊接凸点，以及与焊接凸点电连通的再分布金属层，其特征在于：所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括设有焊垫的芯片，与芯片上的焊垫电连通的中介金属层，焊接凸点，以及与焊接凸点电连通的再分布金属层，其特征在于所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通。2. 如权利要求1所述的封装结构，其特征在于所述焊接凸点有至少两个，其中至少有一个凸点，与之连接的再分布金属层与中介金属层的连接方 式为凹形连接。3. 如权利要求2所述的封装结构，其特征在于其余凸点，与之连接的 再分布金属层与中介金属层的连接方式为一形连接。4. 如权利要求1所述的封装结构，其特征在于所述焊垫与所述中介金 属层之间为T形连接。5. 如权利要求1所述的封装结构，其特征在于还包括边缘延伸出焊垫 的芯片、玻璃基板以及绝缘层，所述玻璃基板与绝缘层通过夹持所述焊垫而 包围所述芯片，所述芯片上面向玻璃基板的一侧设有光学感应元件。6. —种封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤 提供部分暴露焊垫的半封装结构；于半封装结构上形成中介金属层，并使中介金属层与所述焊垫电连通； 刻蚀中介金属层，形成图形化中介金属层；形成再分布金属层，所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通；刻蚀再分布金属层，形成图形化再分布金属层；在图形化再分布金属层上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞国平，王之奇，俞国庆，王蔚，邹秋红，
申请(专利权)人：晶方半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]