一种半导体器件封装结构及其封装方法。其中半导体器件封装结构，包括：芯片，位于芯片上的钝化层；位于钝化层上的焊盘；贯穿芯片和钝化层厚度至露出焊盘的第一通孔；位于第一通孔内壁的籽晶层；位于籽晶层上的导体层，填充满第一通孔的导电层；由第一通孔...

本发明提供了一种半导体芯片的封装结构，包括封装体、封装在封装体内并包含感光元件的芯片、与芯片连接的焊垫、与焊垫侧面暴露处以Ｔ型连接方式相连且同时沿封装体侧壁延伸至封装体背部并与焊接凸起相连的引线金属层，以及覆于引线金属层外表面的保护层；...

本发明公开了一种半导体器件的封装结构及其制造方法，其中，所述半导体器件的封装结构包括：基体，包括正面以及与所述正面相对的背面；半导体器件，位于所述基体的正面；多个焊垫，分立排布在所述半导体器件的外围；至少一个凹槽，位于所述基体的背面的边...

本发明公开了一种半导体器件的封装结构及其制造方法，其中，所述半导体器件的封装结构包括：基体，包括正面以及与所述正面相对的背面；半导体器件，位于所述基体的正面；多个焊垫，位于所述基体的正面且分立排布在所述半导体器件的外围；通孔，位于所述基...

本发明公开了一种超薄半导体芯片封装结构，采用双层引线对焊垫呈双列式排布的芯片进行了封装，两路引线互不干涉，进一步提高了电连接可靠性；与此同时，相比现有技术，其采用单面聚合物代替原本芯片背面的玻璃，采用玻璃－硅－聚合物的结构，将封装厚度进...

本发明提供一种封装结构，包括：盖板；单元腔，位于盖板上并分立排布，所述单元腔包括空腔及位于空腔周围的单元空腔壁；切割道，位于相邻单元腔之间；焊垫区，位于各个单元空腔壁边上并分立排布；间隙区，位于各个单元空腔壁边上焊垫区之外区域；相邻单元...

本发明提供了一种晶圆级光波导及其制造方法，利用半导体集成电路制造工艺，能够制造出接触面光滑、厚度均匀且端面为任意角度镜面的微米级光波导，同时大幅度降低制造成本。

本发明涉及光转换器及其制造方法和发光二极管。其中，用于发光二极管的光转换器，包括两块基板，两块基板之间有环形的第一空腔壁，所述第一空腔壁与所述两块基板包围形成密闭空间，所述密闭空间内填充有光转换物质。本发明实现了对用于ＬＥＤ的光转换物质...

本发明涉及晶圆级芯片封装方法及封装结构。其中，晶圆级封装结构，包括焊接凸点、芯片正面上的焊垫以及连接所述焊接凸点和焊垫的中介金属层，所述芯片上设有从所述芯片背面通向所述焊垫的通孔，所述中介金属层在所述通孔内与所述焊垫连接。与现有技术相比...

本发明提供一种双层引线封装结构及制造方法，在形成空腔的玻璃上覆有兼容焊垫，玻璃与半导体相粘结，芯片上元件容纳在空腔内，芯片背面的绝缘材料将第二层玻璃与芯片结合；在第二玻璃上涂覆绝缘材料；绝缘材料上沉积有金属层、并被开孔分隔，形成开孔的金...

本发明提供一种“Ｎ”形封装结构及制造方法，在第一玻璃上形成空腔壁；具有空腔壁的玻璃覆盖硅芯片，硅芯片外围密布排列兼容焊盘，光学／图像部件被容纳入空腔；芯片被选择性地蚀刻，构成沟道使兼容焊盘的部分暴露；绝缘材料填充沟道，覆盖已暴露的硅坡道...

本发明涉及一种“Ｌ”形电连接晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法。首先提供一晶圆，在芯片和基片的正面设置第一玻璃封装层，在基片的背面构建沟道使外芯片周围密布排列的兼容焊盘部分暴露，然后设置屏蔽焊接掩膜，使其填充沟道并覆盖已暴露的硅坡道和兼容...

本发明提供了一种晶圆级光波导及其制造方法，利用半导体集成电路制造工艺，能够制造出接触面光滑、厚度均匀且端面为任意角度镜面的微米级光波导，同时大幅度降低制造成本。

本发明涉及微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构及制造方法，在微机电系统芯片外围密布排列焊垫，芯片正面设有保护外盖，在芯片和保护外盖之间设有空腔壁，空腔壁的材质为高分子感光型耐蚀刻可压合的密封性材料，保护外盖通过空腔壁与芯片正面相粘结，芯片...

本发明涉及晶圆级芯片尺寸封装的线路及其制作方法，线路包括引线和焊盘，在引线上设置一补偿图形，方向正对于相邻焊盘；或者在焊盘上设置一补偿图形，方向正对于相邻引线。制作线路时，先在底部基材上生成一层全面的金属层，之后涂上光刻胶生成所需图案，...

本申请提供晶圆级封装对象及其形成的方法。在形成晶圆级封装对象的方法中，将小尺寸的单个芯片、含有两个以上芯片的晶圆部件或经过一道以上封装步骤形成的芯片封装半成品重组在一个衬底上；或者用整个晶圆切割而形成的具有至少两个芯片的晶圆部件与粘合用...

本发明提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括设有焊垫的芯片，与芯片上的焊垫电连通的中介金属层，焊接凸点，以及与焊接凸点电连通的再分布金属层，所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通。本发明简化了封装结构，并使得其制造流程减少，...

本申请提供封装结构、封装方法及感光装置。其中，封装结构包括基底、芯片和与芯片上的焊垫形成电连通的焊接凸点，所述焊接凸点位于所述基底上。由于焊接凸点位于基底上，避免现有技术在封装结构的芯片一侧形成凸点时所必须形成的多层覆层结构，从而减少了...