与非闪存设备及其编程方法技术

提供了一种ＮＡＮＤ闪存设备及其编程方法。ＮＡＮＤ闪存设备可以包括包含多个页的单元阵列；存储页的编程数据的页缓冲器；提供编程验证数据到页缓冲器的数据存储电路；以及控制单元。控制单元可以在编程了至少两页之后使用编程验证数据编程页并且验证页。

【技术实现步骤摘要】

示例性的实施例涉及半导体存储设备。更具体地，示例性的实施例涉及 NAND闪存设备及其编程方法。
技术介绍
半导体存储设备是一种能够在其中存储数据并且读取所存储的数据的存 储设备。半导体存储设备主要分类为随机存取存储器(RAM)或只读存储器 (ROM )。 RAM是易失性存储设备，当没有电源和/或提供给RAM的电源被中 断时，其中存储的数据消失或丟失。ROM是非易失性存储设备，即使当没有电 源和/或提供给ROM的电源被中断时，其中存储的数据也被保留或被维持。 RAM的例子包括动态RAM (DRAM)、静态RAM ( SRAM )等等。ROM的例 子包括可编程ROM( PROM )、可擦除PROM( EPROM )、电EPROM( EEPROM )、 闪存设备等等。此外，闪存设备例如可以进一步分类为NOR型或NAND型的 闪存设备。非易失性存储设备的存储单元分别具有电荷存储层。通常，电荷存储层采 用使用导体的浮栅方法，或使用绝缘材料的电荷俘获方法。电荷存储层中没有 存储电荷的状态可以称为逻辑1并且可以表示存储单元中没有存储数据或者存 储单元已经被擦除。同样，电荷存储层中存储了电荷的状态可以称为逻辑O并 且可以表示存储单元中存储了数据或者存储单元已经被编程。编程操作是在存储单元的电荷存储层中存储电荷的操作。然而，通过编程 操作在电荷存储层中存储的电荷在编程操作之后的时间间隔或时间段内可能处 于不稳定的状态。特别地，使用通过电荷存储层的电荷俘获的闪存设备(例如，电荷俘获闪存(CTF)存储设备)需要一个时间间隔或一段持续的时间，直到 被编程的电荷变得稳定为止。也就是说，对于在被编程之后的一个时间间隔或 时间段，被编程存储单元的阈值电压可能处于不稳定的状态。在被编程之后可 能要花一个时间间隔或时间段来等存储单元的阈值电压变得稳定就指示一个准 确的电平。因此，如果在编程了存储单元之后立即执行验证操作，则由于不稳定的阈 值电压可能发生错误。如果阈值电压被识别为低于准确的电平，则本应通过验 证操作的存储单元可能错误地被确定为没有通过验证操作。在这种情况下，存 储单元纟皮过度地编程。相反，如果阈值电压^^皮识别为高于准确的电平，则本应 没有通过验证操作的存储单元可能错误地被确定为通过了验证操作。在这种情 况下，存储单元没有被适度地编程。因此，存储单元的阅值电压分布扩大。
技术实现思路
行验证操作的NAND闪存设备及其编程方法。示例性的实施例提供了 NAND闪存设备。NAND闪存设备可以包括包含 多个页的单元阵列、存储页的编程数据的页緩沖器、为页緩冲器提供编程验证 数据的数据存储电路；以及控制单元。根据示例性的实施例，控制单元可以初始编程页而不执行验证操作，然后 通过使用编程验证数据对页执行验证操作。根据示例性的实施例，控制单元编程页并且在对至少两页编程之后使用编 程验证数据来验证页的编程。根据示例性的实施例，编程数据通过数据存储电路被存储在页緩冲器中。根据示例性的实施例，控制单元顺序地编程，然后验证被编程的页。根据示例性的实施例，如果至少一个页没有通过验证操作，则控制单元增 加编程电压并且重复编程和验证操作。根据示例性的实施例，编程验证数据可以被存储在数据存储电路中并且可 以基于验证操作的结果被更新。根据示例性的实施例，在顺序地编程页之后，控制单元-睑证并且然后编程 每个页。根据示例性的实施例，当编程验证过程期间发生编程失败时，如果被编程的页之一没有通过验证操作，则控制单元增加编程电压并且重复验证和编程操 作。根据示例性的实施例，数据存储电路存储从外部源和/或设备输入的编程数 据并且实际上同时将该编程数据提供给页緩沖器。根据示例性的实施例，数据存储电路具有与页緩沖器相同的结构。 根据示例性的实施例，数据存储电路包括多个寄存器。包括编程多个页而不进行验证操作；然后验证被编程的页。包括编程多个页，并且在对多个页的至少两页编程之后-验证被编程的页。根据示例性的实施例，对页顺序地执行编程验证操作。根据示例性的实施例，用于执行编程和验证操作的时间大于在编程之后被 编程的存储单元的阈值电压达到稳定的时间间隔。根据示例性的实施例，根据用于执行编程和验证操作的时间或者在编程之 后被编程的存储单元的阈值电压达到稳定的时间间隔，确定页的数量。根据示例性的实施例，多个页包括虛拟页。该虚拟页将总是被认为通过验 证操作。根据示例性的实施例，方法可以进一步包括如果被编程的页没有通过验 证操作，则增加编程电压并且重复编程和验证操作。根据示例性的实施例，该方法可以进一步包括对通过了验证操作的页重复 编程和验证搡作。根据示例性的实施例，可以对多级单元的最高有效位和最低有效位执行编 程方法。根据示例性的实施例，该方法可以进一步包括将第一验证电压确定为低 于被编程的存储单元中所需的阈值电压的电压；通过该第一验证电压编程页； 将第二验证电压确定为与被编程的存储单元中所需的阈值电压相同的电压；以 及通过该第二验证电压重复地编程页。根据示例性的实施例，该方法可以进一步包括确定低于与被编程的存储单 元相关的阈值电压的第 一 电压，用所确定的第 一验证电压验证被编程的存储单 元，确定等于或大于用于编程多个页的编程电压与该第一电压的总和的第二电 压，以及用该第二电压重复地编程页。再一个示例性的实施例提供了 一种存储系统。该存储系统可以包括NAND 闪存设备；以及控制NAND闪存设备的存储控制器。NAND闪存设备可以包括 单元阵列，含有多个页；页緩沖器，存储页的编程数据；存储电路，为页緩沖 器提供编程验证数据的数据；以及控制单元，编程页而不执行编程验证操作并 且通过使用编程验证数据对页执行编程验证操作。附图说明附图被包括来提供对示例性实施例的进一步理解，并且结合在该公开中构 成该公开的一部分。附图说明示例性实施例，并且与详细的说明一起用于解释 该公开的优点、原理和范围。附图中图1是根据示例性实施例的NAND闪存设备的结构图2是说明用于图1的NAND闪存设备的编程方法的示例性实施例；图3是说明图2的编程方法的示例性实施例的流程图4是说明在图3的编程方法的编程操作期间图1的NAND闪存设备的示 例寄存器操作的视图5是说明在图3的编程方法的编程操作期间图1的NAND闪存设备的示 例寄存器操作的视图6是说明编程方法的另 一个示例性实施例的^L图； 图7是说明图6的编程方法的示例编程操作的流程图； 图8是根据示例性实施例的NAND闪存设备的结构图10是说明根据示例性实施例的具有闪存设备的存储系统的结构图。具体实施例现在将参考附图更加充分地描述各种示例性的实施例。然而，这里公开的 特定结构上和功能上的细节是为描述示例性实施例的目的而仅仅是代表性的， 并且本领域的技术人员可以理解的是，各种示例性实施例可以用多种替换形式 来实施而不被解释为仅仅限制到这里所述的实施例。可以理解的是，虽然这里使用了术语第一、第二等等来描述不同的元件， 但是这些元件不应当被这些术语所限定。这些术语仅仅用于区分一个元件与另 一个元件。例如，第一元件可以被称为第二元件，同样，第二元件可以被称第一元件，而不脱离本公开的范围。如这里所使用的，术语和/或包括一个或 多个相关列出项目的任意和所有组合。可以理解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＮＡＮＤ闪存设备，包括：　单元阵列，包含多个页；　页缓冲器，存储页的编程数据；　数据存储电路，为所述页缓冲器提供编程验证数据；以及　控制单元，编程页并且在编程了至少两页之后使用编程验证数据验证页。

【技术特征摘要】
KR 2007-8-9 80151/071、一种NAND闪存设备，包括单元阵列，包含多个页；页缓冲器，存储页的编程数据；数据存储电路，为所述页缓冲器提供编程验证数据；以及控制单元，编程页并且在编程了至少两页之后使用编程验证数据验证页。2、 如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述编程数据通过数据 存储电路存储在页緩冲器中。3、 如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述控制单元连续地编 程并验证;波编程的页。4、 如权利要求3所述的NAND闪存设备，其中，如果被编程的页没有通 过验证操作，则所述控制单元增加用于编程页的编程电压。5、 如权利要求3所述的NAND闪存设备，其中，根据验证操作的结果更 新所述数据存储电路中存储的编程验证数据。6、 如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述控制单元对每个页 至少额外地-睑证和编程一 次。7、 如权利要求6所述的NAND闪存设备，其中，如果被编程的页没有通 过验证操作，则所述控制单元增加用于编程页的编程电压。8、 如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述数据存储电路存储 从外部源输入的编程数据并且同时将该编程数据提供给所述页緩冲器。9、 如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述数据存储电路具有 与所述页緩冲器相同的结构。10、 如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述数据存储电路包括 多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌炫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]