【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置，并且更具体地，涉及包括布线结构的半导体装置。
技术介绍
1、dram装置可包括单元区域和外围电路区域，存储器单元形成在单元区域上，用于驱动存储器单元的外围电路形成在外围电路区域上。外围电路可包括晶体管和布线结构。布线结构可被布置为具有相对窄的宽度和相对窄的间距。然而，这增加了用于形成布线结构的图案化工艺的难度。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种包括布线结构的半导体装置。
2、根据本公开的实施例，一种半导体装置包括：基底，包括单元区域和外围电路区域。外围电路晶体管设置在外围电路区域中。第一连接线和第二连接线设置在外围电路晶体管上方的同一平面上。第二连接线包括断开部分。单元电容器设置在单元区域中的基底上。单元电容器包括下电极、介电层和上电极。第一板图案在单元电容器的上电极上。第二板图案在第一板图案的表面的一部分上。第一接触插塞直接接触第二板图案的上表面。第三连接线设置在第二连接线上方。第三连接线面向断开部分。第二接触插塞垂直延伸以直接接触第三连接线的侧...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一板图案包括单元区域中的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分具有直接设置在上电极上的平坦的上表面，第二部分位于单元区域的与外围电路区域邻近的边缘部分处，第二部分具有与基底的表面垂直的垂直上表面，第三部分直接连接到第二部分并且具有平坦的上表面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第二板图案直接设置在第一板图案的第一部分上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二板图案和第三连接线包括相同的金属。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一板图案包括单元区域中的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分具有直接设置在上电极上的平坦的上表面，第二部分位于单元区域的与外围电路区域邻近的边缘部分处，第二部分具有与基底的表面垂直的垂直上表面，第三部分直接连接到第二部分并且具有平坦的上表面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第二板图案直接设置在第一板图案的第一部分上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二板图案和第三连接线包括相同的金属。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞和第二接触插塞包括相同的金属。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一板图案包括硅锗。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二板图案包括钨。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面在垂直方向上彼此共面。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，还包括：第三接触插塞，接触第一连接线的上表面。
10.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，还包括：位线结构，在单元区域的基底上，其中，第一连接线和第二连接线分别电连接到位线结构。
11.一种半导体装置，包括：
12.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵炳焄，康湳婷，南基钦，崔智贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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