【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。
技术介绍
1、随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如nand存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3d nand(三维nand)存储器；随着集成度的越来越高，3d nand存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。ctf(charge trapflash，电荷捕获闪存)型3d nand存储器是目前较为前沿、且极具发展潜力的存储器技术。
2、在ctf型3d nand存储器中，具有由层间绝缘层和栅极交替堆叠形成的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心区域以及围绕所述核心区域设置的台阶区域。所述核心区域，用于信息的存储；所述台阶区域，位于所述堆叠结构的端部，用于向所述核心区域传输控制信息，以实现信息在所述核心区域的读写。其中，所述台阶区域具有贯穿所述堆叠结构的支撑柱，用于对所述堆叠结构进行支撑，避免所述堆叠结构出现坍塌。
3、但是，现有支撑柱的...
【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括若干层所述隔离层，且一层所述隔离层与一所述栅极层同层设置。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构还包括填充于相邻两层所述栅极层之间的层间绝缘层，若干层所述隔离层沿垂直于所述衬底的方向与所述层间绝缘层交替堆叠排列。
4.根据权利要求1至3任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离层覆盖所述导电支撑柱的侧壁。
5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，所述导电插塞的...
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括若干层所述隔离层，且一层所述隔离层与一所述栅极层同层设置。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构还包括填充于相邻两层所述栅极层之间的层间绝缘层，若干层所述隔离层沿垂直于所述衬底的方向与所述层间绝缘层交替堆叠排列。
4.根据权利要求1至3任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离层覆盖所述导电支撑柱的侧壁。
5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，所述导电插塞的长度大于所述堆叠结构的厚度，所述导电插塞远离所述外围电路的一端高于所述堆叠结构。
6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括介质层，所述介质层覆盖所述外围区域与所述堆叠结构，所述导电插塞在垂直于所述衬底的方向上在所述介质层内延伸。
7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述导电支撑柱的材料包括金属，所述三维存储器为3d nand存储器，所述外围区域设置于所述堆叠结构在水平方向的一侧。
8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构还包括核心区域；
9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述台阶区域位于所述核心区域的外围，所述堆叠结构的端部具有所述台阶区域。
10.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述台阶区域位于所述核心区域在水平方向的一侧。
11.一种三维存储器，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构还包括填充于相邻两层所述栅极层之间的层间绝缘层，若干层所述隔离层沿垂直于所述衬底的方向与所述层间绝缘层交替堆叠排列。
13.根据权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离层沿垂直于所述衬底的方向的两侧与所述层间绝缘层接触，所述隔离层沿水平方向的一侧与所述栅极层接触，另一侧与所述导电支撑柱接触。
14.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，同层设置的所述隔离层和所述栅极层的高度相同。
15.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，所述导电插塞与所述导电支撑柱材质相...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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