用于非易失性存储器的编程方法技术

示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。

【技术实现步骤摘要】

示例性的实施例关注于用于编程具有电荷存储层的非易失性存储器设 备的方法、存储设备、以及包含其的系统，包括执行至少一个单元编程循环， 每个单元编程循环包括对至少两个页施加编程脉沖、对所述至少两个页施加时间延迟、以;s^对所述至少两个页施加^t睑脉冲。
技术介绍
即使没有电源供应，非易失性存储器也能够保留存储在其存储单元中的信息。例如包括掩模ROM、 EPROM和EEPROM。非易失性存储器广泛应用于各种电子产品中，例如，个人计算机、个人 数字助理(PDAs)、蜂窝电话、数码相机、数码摄像机、视频游戏机、存储 卡、和其它电子设备。存储卡类型可以包括多媒体卡(MMC)、安全数字(SD)卡、压缩闪存 (CF)卡、记忆棒(MS)、智能媒体(SM)卡、和极端数字(xD)图片卡。在非易失性存储器设备中，快闪存储器被广泛应用。快闪存储器基于单 元和位线的连接结构分为或非(NOR)型和与非(NAND)型。由于读取速 度较快并且写入速度较慢，因此NOR-型快闪存储器可以用作代码存储器。 由于写入速度较快并且每单位区域价格较低，因此NAND-型快闪存储器可 以用作大容量存储设备。NOR-型快闪存储器可以用于PC中的BIOS/网络、路由器、或网络集线 器或电信交换机中。NOR-型快闪存储器也可以用于蜂窝电话、个人数字助 理(PDA)、 POS、或PCA中的代码或数据存储。NAND-型快闪存储器可以用于移动计算机、数码相机和摄像机、接近 CD质量的声音和音频记录器的存储卡、抗震并且可靠的存储器，比如固态 磁盘。图1示出使用ISPP方法的传统编程循环，其包含多个单元编程循环， 如图l所示， 一个单元编程循环可包括编程操作和才企验读操作。在编程操作5中，将编程电压Vpgm施加到选中字线并且将通过电压Vpass施加到未选中 字线。在检验读操作中，将检验电压Vvfy施加到选中字线并且将读电压 Vread施加到未选中字线。在传统的ISPP方式中，每个单元编程循环可以将 编程电压Vpgm增加delta电压AV。
技术实现思路
示例性实施例关注于用于编程具有电荷存储层的非易失性存储器设备 的方法、存储设备、和系统。示例性实施例关注于一种用于编程具有电荷存储层的非易失性存储器 设备的方法，该方法包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包 括对至少两个页施加编程脉冲、对所述至少两个页施加时间延迟、以及对所 述至少两个页施加检验脉冲。示例性实施例关注于一种非易失性存储器设备，所述非易失性存储器设 备包括由多个字线和多个位线连接的存储单元晶体管阵列；以及编程逻辑， 所述编程逻辑用于执行至少一个单元编程循环，其中，对于每一个单元编程 循环，该编程逻辑对多个字线中的至少两个选中的字线施加编程脉冲，对多 个字线中的所述至少两个选中的字线施加时间延迟，以及对多个字线中的所 述至少两个选中的字线施加4企-验脉冲。示例性实施例关注于一种包含有存储器和存储器控制器的系统，所述存 储器进一步包括由多个字线和多个位线连接的存储单元晶体管阵列、以及编 程逻辑，所述编程逻辑用于执行至少一个单元编程循环，其中，对于每一个 单元编程循环，该编程逻辑对多个字线中的至少两个选中的字线施加编程月永 沖，对多个字线中的所述至少两个选中的字线施加时间延迟，以及对多个字 线中的所述至少两个选中的字线施加检验脉冲，所述存储器控制器用于控制 所述存储器。示例性实施例关注于一种系统，所述系统包括存储器，所述存储器进 一步包括由多个字线和多个位线连接的存储单元晶体管阵列、以及编程逻 辑，所述编程逻辑用于执行至少一个单元编程循环，其中，对于每一个单元 编程循环，编程逻辑对多个字线中的至少两个选中的字线施加编程脉沖，对 多个字线中的所迷至少两个选中的字线施加时间延迟，以及对多个字线中的 所述至少两个选中的字线施加检验脉冲；控制器，控制所述存储器；用户接口，用于使能对所述存储器的存取；调制解调器，允许传输所述存储器中的信息；电池，用于对所述存储器供电；以及总线，用于连接所述存储器、控 制器、用户接口、调制解调器和电池。附图说明参考以下附图的详细描述，示例性实施例的上述和其它特征、优点将会 更加明显。图1示出使用ISPP方法的传统编程循环；图2示出根据示例性实施例的NAND快闪存储器框图3A-3B示出根据示例性实施例的NAND快闪存储器设备更详细的框图4A-4B示出根据示例性实施例的编程循环；图5示出根据示例性实施例的时间延迟操作的持续时间；图6示出根据示例性实施例的编程循环；图7示出根据示例性实施例的时间延迟操作的持续时间；图8A-8B示出才艮据示例性实施例的编程循环；图9示出根据示例性实施例在编程操作期间电场方向的示例；图10示出根据示例性实施例用于软^^除操作的电场的方向；图11示出更详细的单元编程循环的示例性实施例；图12示出根据示例性实施例的编程或擦除循环；图13示出根据示例性实施例的编程或擦除循环；图14示出根据示例性实施例的编程或擦除循环；图15示出根据示例性实施例的编程或擦除循环；图16A-16B示出根据示例性实施例的编程循环；图17A-17B示出根据示例性实施例的编程循环；图18A-18B示出根据示例性实施例的编程循环；图19示出根据示例性实施例的NOR快闪存储器；图20示出才艮据示例性实施例的叠层快闪存储器；图21示出根据示例性实施例的肋片(fm)-快闪存储器；图22A-22B示出根据示例性实施例的没有源极和漏极的快闪存储器；图23示出根据示例性实施例的NOR快闪存储器；图24示出图22中所示的第一存储体的示例电路样式；图25示出根据示例性实施例包含存储器控制器的另一示例性实施例;图26示出根据示例性实施例包含接口的另一示例性实施例；图27示出根据示例性实施例的示例存储卡；图28示出根据示例性实施例的示例便携式设备；图29示出根据示例性实施例的示例存储卡和主机系统；以及图30示出根据示例性实施例的示例系统。具体实施例方式在此公开详细的示例实施例。然而，这里详细公开的特定的结构和/或功 能仅表示用于描述示例性实施例。然而所要求保护的内容可以具体化为多种 可选的形式，而不应解释为仅仅限于这里阐述的示例性实施例。应当理解，当一元件被提及为在之上、连接到或耦合到另一 元件时，表示直接在之上、连接到或耦合到另一元件或存在中间元件。相反， 当一元件被提及为直接在之上、直接连接到或直接耦合到另一元 件时，表示不存在中间元件。此处引用的术语和/或包括相关列举的项目 中的一个或多个项目的全部和所有组合。应当理解，尽管此处使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，这些元件、组件、区域、层和/或部分不应#皮这些术语 所限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个部件、 元件、区域、层或部分区分开。因此，可将下述第一元件、组件、区域、层 或部分称为第二元件、组件、区域、层或部分而不背离示例性实施例的教导。此处使用空间位置术语，如在之下，、在下面，、下面的、在上 面，、上面的以及类似术语是为了便于描述图中示出的一个组件或特征 与另一个(或多个)组件或特征之间的关系。应该理解，除了附图描述的位 置关系之外，空间位置术语的含义也包括设备在使用或操作中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法，包括：　执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：　对至少两个页施加编程脉冲；　对所述至少两个页施加时间延迟；和　对所述至少两个页施加检验脉冲。

【技术特征摘要】
KR 2007-8-22 84511/07;US 2008-8-14 12/191,4531. 一种对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括对至少两个页施加编程脉冲；对所述至少两个页施加时间延迟；和对所述至少两个页施加检验脉冲。2. 如权利要求1所述的方法，其中所述施加顺序是编程脉冲、时间延 迟、和一企—验脉沖。3. 如权利要求1所述的方法，其中所述施加顺序是编程脉冲、4企-睑脉 冲、和时间延迟。4. 如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个单元编程循环包括至 少两个单元编程循环。5. 如权利要求4所述的方法，其中在每个单元编程循环中施加到所述 至少两个页的编程脉冲具有不同的振幅。6. 如权利要求4所述的方法，其中在每个单元编程循环中施加到所述 至少两个页的编程脉冲具有不同的持续时间。7. 如权利要求4所述的方法，其中在每个单元编程循环中施加到所述 至少两个页的编程脉冲具有不同的振幅和不同的持续时间。8. 如权利要求4所述的方法，其中在后续单元编程循环中施加到所述 至少两个页的编程脉冲相比在之前的单元编程循环中施加到所述至少两个 页的编程脉冲具有不同的振幅。9. 如权利要求4所述的方法，其中所述至少两个单元编程循环包括i 个编程循环，其中i是大于2的整数。10. 如权利要求l所述的方法，其中所述施加顺序是时间延迟、检验脉 冲、和编程脉冲。11. 如权利要求IO所述的方法，进一步包括 执行第一编程循环，包括对所述至少两个页施加第 一编程脉冲。12. 如权利要求11所述的方法，进一步包括执行最后编程循环，包括对所述至少两个页施加最后时间延迟；和对所述至少两个页施加最后4企—睑脉冲。13. 如权利要求12所述的方法，其中在所述第一编程循环和每个单元 编程循环中施加到所述至少两个页的编程脉冲具有不同的振幅。14. 如权利要求12所述的方法，其中在所述第一编程循环和每个单元 编程循环中施加到所述至少两个页的编程脉冲具有不同的持续时间。15. 如权利要求12所述的方法，其中在所述第一编程循环和每个单元续时间。16. 如权利要求12所述的方法，其中在后续单元编程...

【专利技术属性】
技术研发人员：文承炫，崔奇焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]