带有存储单元和基准单元的集成式存储器制造技术

存储单元（ＭＣ）设置在字线（ＷＬｉ）和位线（ＢＬ，／ＢＬ）交叉点上。包括设置在至少一个第一基准字线（ＲＷＬ１，ＲＷＬ１’）和位线（ＢＬ，／ＢＬ）交叉点上的第一基准单元（ＲＣ１），并且该基准单元在正常工作方式下在阅读所述存储单元（ＭＣ）前用于在所述位线中产生一个基准电位。还包括设置在至少一个第二基准字线（ＲＷＬ２，ＲＷＬ２’，ＲＷＬ３）和位线（ＢＬ，／ＢＬ）交叉点上的第二基准单元（ＲＣ２，ＲＣ３），并且该基准单元在校验工作方式下在阅读所述第一基准单元（ＲＣ１）前用于在所述位线中产生一个基准电位。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成式存储器，包括设置在字线和位线交叉点上的存储单元，并且包括设置在基准字线和位线交叉点上的基准单元，该基准单元在阅读所述存储单元前用于在所述位线中产生一个基准电位。在美国专利文献US 5844832 A中公开了这样一种集成式存储器，其形式为铁电式存储器或者FRAMs(铁电式随机存取存储器)。所述基准单元在阅读存取之前，将一个特定的电位写入存储单元，然后在位线上读出。然后，在两个相邻的、以不同的电平读数基准单元的位线相互短接，所以在这两根位线上可得到一个基准电位，它等于两个不同电平的平均值。其中的基准单元按照普通存储单元相同的方式建立。在每次读数存储单元之间，例如在存储单元校验期间，通过基准单元以上述方式在位线上产生基准电位，从而使通过位线连接的读数放大器在执行位线电位的计算之一前，得到确定的基准电位。在以上所述的存储器中读数存储单元之一的错误可能会出于两个不同的原因。一个原因是正在阅读的存储器或与该存储器相连的字线已经损坏。另一个原因是，所属的基准单元出现损坏，所以不能以正确方式产生基准电位，这样便无法通过读数放大器对位线电位进行正确的计算。所以希望能够确认本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成式存储器， －包括设置在字线（ＷＬｉ）和位线（ＢＬ，／ＢＬ）交叉点上的存储单元（ＭＣ）， －包括设置在至少一个第一基准字线（ＲＷＬ１，ＲＷＬ１’）和位线（ＢＬ，／ＢＬ）交叉点上的第一基准单元（ＲＣ１），并且该基准单元在正常工作方式下在阅读所述存储单元（ＭＣ）前用于在所述位线中产生一个基准电位， －还包括设置在至少一个第二基准字线（ＲＷＬ２，ＲＷＬ２’，ＲＷＬ３）和位线（ＢＬ，／ＢＬ）交叉点上的第二基准单元（ＲＣ２，ＲＣ３），并且该基准单元在校验工作方式下在阅读所述第一基准单元（ＲＣ１）前用于在所述位线中产生一个基准电位。

【技术特征摘要】
DE 1999-9-14 19944037.91．一种集成式存储器，-包括设置在字线(WLi)和位线(BL，/BL)交叉点上的存储单元(MC)，-包括设置在至少一个第一基准字线(RWL1，RWL1’)和位线(BL，/BL)交叉点上的第一基准单元(RC1)，并且该基准单元在正常工作方式下在阅读所述存储单元(MC)前用于在所述位线中产生一个基准电位，-还包括设置在至少一个第二基准字线(RWL2，RWL2’，RWL3)和位线(BL，/BL)交叉点上的第二基准单元(RC2，RC3)，并且该基准单元在校验工作方式下在阅读所述第一基准单元(RC1)前用于在所述位线中产生一个基准电位。2．如权利要求1所述的集成式存储器，其特征在于，所述第二基准字线(RWL2，RWL2’，RWL3)与所述字线(WL1，WL2)之一相同，并且其第二基准单元(RC2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：P佩赫米勒，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]