【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成式存储器，包括存储单元，它在一个单元阵列内沿位线、字线以及至少两个片状分段设置，并且各具有一个选择晶体管和一个存储器电容，其中每个存储器电容的一个电极经所属的选择晶体管与所述位线之一相连，并且其另一个电极与所述片状分段之一相连，其中的每个选择晶体管的一个控制端与所述字线之一相连。在美国专利文献US 5373463 A中公开了这样一种FRAMs形式的集成式存储器(铁电式随机存取存储器)。其中的第一种FRAMs的方案是，片状分段平行于字线设置，而且分别有一个片状分段对应于一个字线。在另外一种方案中，片状分段平行于位线设置，而且每个片状分段对应于一个位线。美国专利文献US 5373463 A中描述的存储器采用所谓“脉冲片状分段方式”工作。在向存储单元写入信息或者从存储单元读出信息时，所述字线之一被激活，使得所属的选择晶体管导通，然后对应于相应进行一次存取的存储单元的片状分段首先进入一个高的电源电位，接着进入存储器的一个低的电源电位，即完成脉冲。在存储单元之一上进行的每个存取都与所属片状分段的一个脉冲联系在一起。在铁电存储单元中，其存储器电容采...
【技术保护点】
一种集成式存储器，包括： －存储单元（ＭＣ），它在一个单元阵列内沿位线（ＢＬｉ）、字线（ＷＬｉ）以及至少两个片状分段（ＰＬＡ，ＰＬＢ；ＰＬＣ，ＰＬＤ）设置，并且各具有一个选择晶体管（Ｔ）和一个存储器电容（Ｃ）， －其中每个存储器电容（Ｃ）的一个电极经所属的选择晶体管（Ｔ）与所述位线（ＢＬｉ）之一相连，并且其另一个电极与所述片状分段（ＰＬＡ，ＰＬＢ；ＰＬＣ，ＰＬＤ）之一相连， －其中的每个选择晶体管（Ｔ）的一个控制端与所述字线（ＷＬｉ）之一相连， －具有一个正常工作方式，在该方式中，对所述存储单元（ＭＣ）进行存取时，分别只有一个所述片状分段（ＰＬＡ，Ｐ...
【技术特征摘要】
DE 1999-9-14 19944036.01．一种集成式存储器，包括-存储单元(MC)，它在一个单元阵列内沿位线(BLi)、字线(WLi)以及至少两个片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)设置，并且各具有一个选择晶体管(T)和一个存储器电容(C)，-其中每个存储器电容(C)的一个电极经所属的选择晶体管(T)与所述位线(BLi)之一相连，并且其另一个电极与所述片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)之一相连，-其中的每个选择晶体管(T)的一个控制端与所述字线(WLi)之一相连，-具有一个正常工作方式，在该方式中，对所述存储单元(MC)进行存取时，分别只有一个所述片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)得到脉冲电位，-还具有一个测试工作方式，在该方式中，所述两个片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)同时得到脉冲电位。2．如权利要求1所述的集成式存储器，其特征在于，所述两个片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)在测试工作方式中同时在各自相反的方向得到脉冲电位。3．如权利要求2所述的集成式存储器，其特征在于，-所述两个片状分段在测试工作方式中分别通过两个连续的具有相反电平的脉冲得到脉冲电位，-所述存储器包...
【专利技术属性】
技术研发人员：P佩赫米勒，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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