【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有这样存储单元的集成存储器，该存储单元各具有一个铁电存储器晶体管。在US 5,541,871 A中描述了一个铁电半导体存储器，其存储单元包括各一个铁电存储器晶体管。铁电晶体管具有一个铁电的栅极介质。通过在晶体管的控制电极上施加一个电压脉冲调整铁电物质的极化方向，并且因此调整晶体管的临界电压。在晶体管的一个预先确定的漏极-源极电压的情况下依赖于晶体管的临界电压得出不同的漏极电流。对于存储器晶体管的读出在US 5,541,871 A中在晶体管上设置一个预先确定的漏极-源极电压，并且晶体管栅极达到一个电位，通过该电位使晶体管导通。接着获得调整的源极-漏极电压。如果探测到一个较低的漏极电流，则涉及晶体管栅电极的铁电介质的第一极化状态。如果探测到一个较大的漏极电流，则涉及铁电物质的第二极化状态。通过这种方式区分二个不同的晶体管存储的逻辑状态。在US 5,541,871 A中矩阵状地布置通过铁电存储器晶体管形成的存储单元。其源极终端与在第一方向上分布的平行源极线连接。其漏极终端与在垂直于第一方向的第二方向上分布的、平行漏极线连接。其栅极或者控制电极与在第...
【技术保护点】
集成存储器，一具有存储单元，该存储单元具有各一个铁电存储器晶体管（Ｔ），其控制电极包含一个铁电层，该层至少可以接受二个不同的极化状态，－具有字线（ＷＬｉ），其主要分布在第一方向上，－具有位线（ＢＬｉ），其主要分布在垂直于第一方向的第二方向上，－具有控制线（Ｃｉ），－在该存储器中每个存储器晶体管（Ｔ）的可控制区间使位线（ＢＬｉ）中的一个与控制线（Ｃｉ）中的一个连接－在该存储器中每个存储器晶体管（Ｔ）的控制电极与字线（ＷＬｉ）中的一个连接，并且－在该存储器中控制线（Ｃｉ）主要分布在第二方向上，其特征在于，－控制线（Ｃｉ）中的一个分别布置在位线（ＢＬｉ）中的每二个位线之间，控制线...
【技术特征摘要】
DE 1999-3-25 19913571.11.集成存储器，—具有存储单元，该存储单元具有各一个铁电存储器晶体管(T)，其控制电极包含一个铁电层，该层至少可以接受二个不同的极化状态，—具有字线(WLi)，其主要分布在第一方向上，—具有位线(BLi)，其主要分布在垂直于第一方向的第二方向上，—具有控制线(Ci)，—在该存储器中每个存储器晶体管(T)的可控制区间使位线(BLi)中的一个与控制线(Ci)中的一个连接—在该存储器中每个存储器晶体管(T)的控制电极与字线(WLi)中的一个连接，并且—在该存储器中控制线(Ci)主要分布在第二方向上，其特征在于，—控制线(Ci)中的一个分别布置在位线(BLi)中的每二个位线之间，控制线分别经过多个存储器晶体管(T)的可控制区间与位线连接，—平行于位线(BLi)和控制线(Ci)布置存储器晶体管(T)的可控制区间，并且—与相同位线(BLi)连接的存储器晶体管(T)分别具有公共的源极区/漏极区。2.按照权利要求1的集成存储器，其特征在于，与位线(BLi)中的各一个位线连接的电流检测单元(2)用于检测在读存取期间在控制线(Ci)和位线(BLi)之间流经存储器晶体管(T)的电流。3.按照权利要求1的集成存储器，其特征在于，二个多工器(Muxi)和二个电流检测单元(21、22)...
【专利技术属性】
技术研发人员：H赫尼格施米德，M乌尔曼，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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