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集成存储器的存储单元具有各一个铁电存储器晶体管（Ｔ）。位线（ＢＬｉ）和控制线（Ｃｉ）垂直与字线（ＷＬｉ）分布。每个存储器晶体管（Ｔ）的可控制区间使位线（ＢＬｉ）中一个与控制线（Ｃｉ）中一个连接。每个存储器晶体管（Ｔ）的控制电极与字线（ＷＬｉ...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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