抑制存储器电容结构印记的系统和方法技术方案

通过偶尔将电容器（５１０）的充电状态变为互补的充电状态，来抑制存储单元（３０４）中使用的电容器结构的印记的一个系统（２００）和一种方法。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般性地涉及计算机存储器，更具体地说，涉及使用具有电容结构的存储单元的存储器。
技术介绍
一种非易失性存储器，可通过改变器件内铁电电介质层的极化方向来存储信息。当能量从系统移开时，电介质的极化态被保留下来，从而提供了非易变性效果。这种器件与电容器结构相似，其中电容器的电介质层用铁电材料替代，铁电材料可被极化为两个方向中的一个。极化的方向用于存储信息，“1”对应一个极化方向，“0”对应另一个极化方向。将铁电材料置于半导体基底上的电容器的金属板间，使电容器金属板间电荷极化，电容器呈现一种存储的状态。实质上，当给电容器充电，并且场线在一个方向穿过电容器时，在电荷从电容器金属板移开后，剩余电荷极化被保留下来。如果将相反电荷置于电容器金属板间，则相反剩余极化被保留。如附图说明图1所示，施加在电容器金属板间的电场电压(E)与电容器金属板间铁电材料的极化(P)之间的曲线图，显示为磁滞曲线。在半导体模板上生产的电容器的金属板之间铁电材料的磁滞响应，在现有技术中是公知的。制造用于存储阵列单元中的电容器时使用铁电材料，也是为现有的技术所熟知的。通过在铁电电容金属板间施加强制电压以产生一种或另本文档来自技高网...

【技术保护点】
在含有存储单元阵列的存储器中，一种方法，包括：在该阵列的一个存储单元中存储与第一状态相应的电荷；并且在该存储单元中周期性存储与第二状态相应的电荷，所述第二状态与第一状态互补。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-12-13 10/022,0361.在含有存储单元阵列的存储器中，一种方法，包括在该阵列的一个存储单元中存储与第一状态相应的电荷；并且在该存储单元中周期性存储与第二状态相应的电荷，所述第二状态与第一状态互补。2.如权利要求1所述的方法，还包括在所述存储单元中恢复与第一状态相应的电荷。3.如权利要求1所述的方法中，其中根据存储单元的存储地址对该阵列的每个存储单元顺次执行如下操作，在阵列的存储单元中存储与第一状态相应的电荷，和在该存储单元中周期性存储与第一状态互补的第二状态相应的电荷。4.如权利要求3所述的方法，还包括按顺序存储下一个存储单元的存储地址。5.如权利要求1所述的方法中，其中对阵列中每个存储单元执行如下操作，在阵列的存储单元中存储与第一状态相应的电荷，和在存储单元中周期性存储与第一状态互补的第二状态相应的电荷，该方法进一步包括存储一个指示器来指示所述存储单元的电荷对应于原始状态或互补状态。6.如权利要求1所述的方法中，其中在阵列的存储单元中存储与第一状态相应的电荷，该步骤包括给存储单元施加第一偏压；在存储单元中周期性存储与第一状态互补的第二状态相应的电荷，该步骤包括给所述存储单元施加第二偏压。7.如权利要求6所述的方法中，第一和第二偏压极性相反。8.如权利要求1所述的方法中，其中所述存储单元包括一个含有电介质的电容器，该电介质由铁电材料生成。9.在含有存储单元阵列的存储器中，一种方法，包括决定至少一个存储单元的充电状态；并且在每一个确定了充电状态的存储单元中存储互补的充电状态。10.如权利要求9所述的方法中，其中所述确定和存储步骤均周期性执行。11.如权利要求9所述的方法中，其中所述确定和存储步骤对所述阵列的每一个存储单元执行。12.如权利要求11所述的方法，还包括在寄存器中存储一个值，该值表示所述存储单元的充电状态是否对应于已确定的充电状态或互补充电状态。13.如权利要求11所述的方法，还包括在专用电容器上存储一个充电状态，用来表示所述存储单元的充电状态对应于已确定的充电状态或互补的充电状态。14.如权利要求9所述的方法中，确定和存储步骤对该阵列的每一个存储单元执行，且对所有的存储单元都周期性重复。15.如权利要求9所述的方法中，所述确定步骤包括从所述存储单元中读出充电状态，所述存储步骤包括给存储单元加一个偏压来存储互补的充电状态。16.如权利要求9所述的方法中，所述阵列的每一个存储单元都包括一个含有电介质的存储器，该电介质由钙钛矿氧化物生成。17.减少铁电存储单元印记的方法，包括周期性地对铁电存储单元施加偏压来将铁电存储单元置于互补的充电状态。18.如权利要求17所述的方法中，其中施加周期性偏压的步骤包括施加一个与原来偏压极化相反的偏压，原来的偏压将铁电存储单元置于原始充电状态。19.如权利要求17所述的方法，还包括存储一个指示器，指示器指示该存储单元处于互补的充电状态还是原始充电状态。20.如权利要求17所述的方法，还包括在铁电电容中存储一个充电状态，该充电状态表示该存储单元处于互补的充电状态还是原始充电状态。21.如权利要求17所述的方法中，其中给铁电存储单元周期性施加偏压包括确定存储单元的原始充电状态。22...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰姆巴斯瑞，丹尼尔F吉利，
申请(专利权)人：米克伦技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]