改进的存储器集成电路制造技术

本发明专利技术公开一种改进的存储器ＩＣ，其存储单元为一串行架构设置。该串行的单元晶体管的第一扩散区域耦合至第一电容电极，而第二扩散区域耦合至第二电容电极。这确保了能通过一板线脉冲施加至跨越串行的任一电容的电场是位于相同的方向。这降低或避免相邻存储单元的不对称磁滞曲线，进而改善了感测窗。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路(IC)。更具体地，本专利技术涉及具有串行结构地存储器集成电路，例如电铁存储器ICs(ferroelectric memory ICs)。
技术介绍
电铁金属氧化陶瓷材料，例如锆钛酸铅(lead zirconate titanate，PZT)，已经被研究使用于电铁半导体存储器装置中。也可使用其它的电铁材料，例如锶铋钽(Strontium Bismuth Tantalate，SBT)。图1表示具有一晶体管130以及一电铁电容140地已知电铁存储单元105。一电容电极142耦合至一板线(plateline)170而另一电容电极141耦合至晶体管130，晶体管130有选择地使电容耦合至位线160或与其解除耦合，依据耦合至晶体管栅极的字线150而定。电铁存储器存储信息在电容内做为残余极化。存储在存储单元内的逻辑数值依据电铁电容的极化而定。为改变电容极化，一个大于切换电压的电压(强制电压)需要被施加至跨越其二电极。电铁电容的优点在于当电源被移除之后其维持它的极化状态，产生非挥发性存储单元(on-volatilememory cell)。图2表示一串行202地多个电铁存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：一存储器串行，具有ｘ个存储器单元，其中ｘ是大于１的整数；其中该ｘ个存储器单元的一存储器单元包括：一晶体管，其具有第一及第二扩散区域以及一栅极，以及一电容器，其有一位于第一与第二电极间的介电 层，以及该第一扩散区域耦合至该第一电极而该第二扩散区域耦合至该第二电极；以及该ｘ个存储器单元通过使第ｋ个存储器单元的第二电极与该第ｋ＋１个存储器单元的第一电极耦合而互相连接，其中ｋ从１至ｘ－１。

【技术特征摘要】
US 2002-6-20 10/177,3241.一种集成电路，包括一存储器串行，具有x个存储器单元，其中x是大于1的整数；其中该x个存储器单元的一存储器单元包括一晶体管，其具有第一及第二扩散区域以及一栅极，以及一电容器，其有一位于第一与第二电极间的介电层，以及该第一扩散区域耦合至该第一电极而该第二扩散区域耦合至该第二电极；以及该x个存储器单元通过使第k个存储器单元的第二电极与该第k+1个存储器单元的第一电极耦合而互相连接，其中k从1至x-1。2.如权利要求1的集成电路，其中，所述存储器单元为电铁存储器单元，其中该存储器单元的该电容的介电层包括一电铁材...

【专利技术属性】
技术研发人员：M贾科布，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]