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本发明公开一种改进的存储器ＩＣ，其存储单元为一串行架构设置。该串行的单元晶体管的第一扩散区域耦合至第一电容电极，而第二扩散区域耦合至第二电容电极。这确保了能通过一板线脉冲施加至跨越串行的任一电容的电场是位于相同的方向。这降低或避免相邻存储单...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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