相变存储器件和写相变存储器件的方法技术

相变单元存储器件包括数个相变存储单元、地址电路、写驱动器和写驱动器控制电路。相变存储单元的每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料。地址电路选择至少一个存储单元，写驱动器生成将地址电路选择的存储单元编程（ｐｒｏｇｒａｍ）为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流。写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及。更具体地说，本专利技术涉及根据待写相变单元的负载改变写电流脉冲特性的。
技术介绍
相变存储单元器件依赖于诸如硫族化物之类，能够稳定地在非晶相和晶相之间变迁的相变材料。这两相呈现的不同电阻值用于区分存储单元的逻辑值。也就是说，非晶态呈现相对高的电阻，而晶态呈现相对低的电阻。图1例示了在非晶态52-1下和在晶态52-2下的相变存储单元。相变存储单元可以是相变随机存取存储器(PRAM)的一部分。相变存储单元52包括底电极(BE)54和顶电极(UE)56之间的相变层55。相变层55由诸如硫属化物合金(GST)之类的相变材料组成。位线(BL)与顶电极56耦合。底电极54与经过晶体管NT的地耦合。字线(WL)与晶体管NT的栅极耦合。当相变存储单元52处在非晶态52-1下时，相变层部分55是非晶体。同样，当相变存储单元52处在晶态52-2下时，相变层部分55是晶体。如图1中的等效电路图所示，取决于通过位线BL施加的电流，相变材料层55被置位(ST1)成晶态，或复位(ST2)成非晶态。本领域的普通技术人员应该明白，术语“非晶态”和“晶态”不是相变材料的绝对特性。而是，当认为相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变单元存储器件，包括：　　　　数个相变存储单元，每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料；　　　　地址电路，用于选择至少一个存储单元；　　　　写驱动器，用于生成将地址电路选择的存储单元编程为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流；以及　　　　与地址电路耦合的写驱动器控制电路，用于根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。

【技术特征摘要】
KR 2004-2-4 7112/04;US 2004-8-17 10/919,3711.一种相变单元存储器件，包括数个相变存储单元，每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料；地址电路，用于选择至少一个存储单元；写驱动器，用于生成将地址电路选择的存储单元编程为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流；以及与地址电路耦合的写驱动器控制电路，用于根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，复位脉冲电流的脉冲宽度是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路减小置位脉冲电流的脉冲宽度。4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，置位脉冲电流的脉冲宽度是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路减小复位脉冲电流的脉冲宽度。5.根据权利要求2所述的存储器件，其中，复位脉冲电流的脉冲宽度是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路增加置位脉冲电流的脉冲宽度。6.根据权利要求2所述的存储器件，其中，置位脉冲电流的脉冲宽度是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路增加置位脉冲电流的脉冲宽度。7.根据权利要求2所述的存储器件，其中，随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路增加置位脉冲电流和复位脉冲电流的脉冲宽度。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变置位脉冲电流和复位脉冲电流中的至少一个的脉冲计数。9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，复位脉冲电流的脉冲计数是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路减少置位脉冲电流的脉冲计数。10.根据权利要求8所述的存储器件，其中，置位脉冲电流的脉冲计数是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路减少复位脉冲电流的脉冲计数。11.根据权利要求8所述的存储器件，其中，复位脉冲电流的脉冲计数是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路增加置位脉冲电流的脉冲计数。12.根据权利要求8所述的存储器件，其中，置位脉冲电流的脉冲计数是常数，并且随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路增加置位脉冲电流的脉冲计数。13.根据权利要求8所述的存储器件，其中，随着写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载增加，写驱动器控制电路增加置位脉冲电流和复位脉冲电流的脉冲计数。14.根据权利要求1所述的存储器件，其中，存储器件是相变随机存取存储器。15.一种相变单元存储器件，包括数个存储单元块，每一个都包括数个相变存储单元，其中，相变存储单元的每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料；地址电路，用于选择存储单元块之一；写驱动器，用于有选择地生成将地址电路选择的存储单元块的存储单元编程为非晶置位态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元块的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流；以及写驱动器控制电路，用于根据地址电路选择的存储单元块，改变置位脉冲电流和复位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。16.根据权利要求15所述的存储器件，其中，写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元块之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度。17.根据权利要求16所述的存储器件，其中，写驱动器控制电路包括控制脉冲发生器，用于生成分别具有不同脉冲宽度的数个控制脉冲信号；以及多路复用器，用于根据地址电路选择的存储单元块，有选择地将控制脉冲信号之一施加给写驱动器。18.根据权利要求17所述的存储器件，其中，控制脉冲发生器是由ATD(地址转移检测)信号启动的。19.根据权利要求15所述的存储器件，其中，写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元块之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲计数。20.根据权利要求19所述的存储器件，其中，写驱动器控制电路包括控制脉冲发生器，用于生成分别具有不同定时的数个控制脉冲信号；以及多路复用器，用于根据地址电路选择的存储单元块，有选择地将控制脉冲信号的一个或几个施加给写驱动器。21.根据权利要求20所述的存储器件，其中，控制脉冲发生器是由ATD(地址转移检测)信号启动的。22.根据权利要求15所述的存储器件，其中，存储器件是相变随机存取存储器。23.一种相变单元存储器件，包括相变存储单元阵列，包括数条字线、数条位线和处在字线和位线的各个交叉区的数个相变单元，其中，存储单元阵列由每一个包括至少一条字线的数...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔炳吉，郭忠根，金杜应，赵柏衡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]